NAND FLASH 资料 1GBIT

### NAND Flash Memory 1GBIT – 特性与技术规格详解 #### 一、产品概述 本资料介绍的是镁光（Micron）生产的1GBit NAND Flash存储器的数据手册，型号包括NAND01GR3B2C、NAND01GW3B2C、NAND01GR4B2C以及NAND01GW4B2C。这些器件均为单层单元（Single Level Cell, SLC）NAND Flash存储器，支持1.8V/3V电源电压，并提供x8或x16数据总线宽度。 #### 二、产品特性 ##### 1. NAND接口 - 支持x8或x16数据总线宽度。 - 地址/数据复用。 - 不同密度产品的引脚兼容。 ##### 2. 供电电压 - 支持1.8V/3V电源电压。 ##### 3. 页面大小 - x8设备：每个页面包含2048字节数据区加64字节备用区。 - x16设备：每个页面包含1024字数据区加32字备用区。 ##### 4. 块大小 - x8设备：每个块包含128K字节数据区加4K字节备用区。 - x16设备：每个块包含64K字数据区加2K字备用区。 ##### 5. 页面读写操作 - 随机访问时间最大25微秒。 - 顺序访问时间最小25纳秒。 - 页面编程时间典型值200微秒。 ##### 6. 数据保护 - 提供硬件级别的块锁定功能。 - 在电源转换期间对编程/擦除操作进行锁定保护。 ##### 7. 快速块擦除 - 典型值为2毫秒。 ##### 8. 状态寄存器 - 可用于监控设备状态。 ##### 9. 电子签名 - 用于标识和验证设备信息。 ##### 10. 芯片使能 - 芯片使能引脚不受限，即在不工作时可以置高或置低。 ##### 11. 安全特性 - OTP区域：一次性可编程区域，可用于存储密钥等敏感信息。 - 序列号选项：每个芯片具有唯一的序列号，增强安全性。 - 非易失性保护选项：允许用户设置非易失性的保护位。 ##### 12. 数据完整性 - 每个块可承受10万次编程/擦除周期（需配合错误校正码ECC使用）。 - 数据保持时间至少10年。 ##### 13. 符合RoHS标准封装 - 提供符合RoHS标准的封装形式，如FBGA TSOP48 (12x20mm) 和 VFBGA63 (9x11x1.05mm)。 ##### 14. 开发工具支持 - 提供错误校正码模型。 - 提供坏块管理和磨损均衡算法。 - 提供硬件仿真模型。 #### 三、信号描述 - **I/O0-I/O7**：输入/输出信号，用于数据传输。 - **I/O8-I/O15**：仅适用于x16组织结构的输入/输出信号。 - **AL (Address Latch Enable)**：地址锁存使能信号。 - **CL (Command Latch Enable)**：命令锁存使能信号。 - **E (Chip Enable)**：芯片使能信号。 - **R (Read Enable)**：读使能信号。 - **W (Write Enable)**：写使能信号。 - **WP (Write Protect)**：写保护信号。 - **RB (Ready/Busy)**：准备/忙状态信号。 - **VDD (Supply Voltage)**：供电电压。 - **VSS (Ground)**：接地信号。 #### 四、总线操作 - **命令输入**：通过CL信号输入命令。 - **地址输入**：通过AL信号输入地址。 - **数据输入**：通过I/O信号输入数据。 - **数据输出**：通过I/O信号输出数据。 - **写保护**：通过WP信号实现写保护功能。 - **待机模式**：当E信号无效时，设备进入待机模式。 #### 五、命令集 - 本章节将详细介绍各种可用的命令及其功能，例如读取数据、编程数据、擦除块等。 #### 六、设备操作 - **读取内存阵列** - **随机读取**：从任意位置读取数据。 - **页面读取**：按页面为单位读取数据。 - **缓存读取**：一种加速读取速度的方法，利用内部缓存来提高读取效率。 - **其他操作**：还包括复制编程模式、快速块擦除等功能。 这款1GBit NAND Flash存储器提供了丰富的功能和灵活的配置选项，适用于多种应用场景，特别是在需要高速度和高可靠性的环境中。其详细的技术规格和操作指南对于系统设计者来说是非常宝贵的资源。