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纳流体忆阻器在神经网络应用中电学测试 纳流体忆阻器是一种非线性的两端器件，具有非易失性和可记忆性，能够记录它之前流过的电流大小。它独特的 I-V 特性曲线和阻值变化使它成为未来计算和存储系统很重要的元器件。相对于 SRAM 和 DRAM，它的非易失性，低功耗和大开关速率具有很大的替代优势。 忆阻器的提出和发现为实现非冯诺依曼计算体系的实现提供可能。此外，由于忆阻器的各种特点，忆阻器可以模拟生物突触的行为例如长程激发（LTP），长程抑制（LTD），短程激发，短程抑制和脉冲时序可塑性（STDP）。科学家们现在致力于使用忆阻系统实现类脑计算，使机器像人脑一样工作。 在神经网络应用中，纳流体忆阻器可以用于模拟生物突触的行为，实现类脑计算。为了测试纳流体忆阻器的电学特性，本文设计了一种基于纳米沟道的流体型纳米器件测试系统。测试系统主要由半导体特性测试仪、带有鳄鱼夹的三同轴屏蔽线、Ag/AgCl 参比电极和电磁屏蔽盒等组成。 半导体特性测试仪泰克 4200A-SCS 和安捷伦 B1500A 是本测试系统的核心设备。泰克 4200A-SCS 的源测量单元主要性能指标包括 ±210V/100mA 或 ±210V/1A 模块、100fA 测量分辨率、选配前端放大器提供了 10nA 测量分辨率、10mHz-10Hz 超低频率电容测量、四象限操作和 2 线或 4 线连接。B1500A 的脉冲测量单元主要性能指标包括高达 ±40V 的高压输出适用于非易失性存储器测试、单通道的两级和三级脉冲功能、灵活的任意波形生成，分辨率为 10ns（任意线性波形生成功能）和每个模块两个通道。 通过测试，纳流体忆阻器的 I-V 特性曲线、脉冲响应曲线和器件保持特性曲线被获得。结果表明，纳流体忆阻器具有良好的电学特性，可以应用于神经网络应用中。 纳流体忆阻器是一种非常promising的器件，可以应用于神经网络应用中，模拟生物突触的行为，实现类脑计算。同时，该器件也可以应用于其他领域，如存储器、计算机系统等。