808nm半导体激光器烧结工艺的研究.pdf

《808nm半导体激光器烧结工艺的研究》这篇论文主要探讨了在半导体激光器制造过程中，808纳米半导体激光器烧结工艺的关键技术和挑战。烧结是半导体激光器封装的重要步骤，对于器件的性能和寿命具有决定性影响。 在808nm半导体激光器的烧结过程中，一个常见的问题是“爬铟”现象，即在高温烧结时，铟材料会迁移，导致接触电阻增大，影响器件的稳定性和效率。为了解决这一问题，研究者采取了一种称为侧壁氧化的结构设计。通过在激光器的侧壁进行氧化处理，可以有效地抑制铟的迁移，提高烧结的成品率。 实验结果显示，采用侧壁氧化结构的激光器烧结成品率达到了95%以上，相较于普通结构的激光器，其成品率提升了20%。这表明侧壁氧化工艺对于防止铟迁移、提高器件的稳定性具有显著效果。此外，在500mA的老化测试中，侧壁氧化结构的激光器寿命明显长于普通结构的激光器，进一步证实了该工艺的优势。 大功率半导体激光器因其高转换效率、小巧的体积和高可靠性，被广泛应用于信息处理、材料加工等多个领域。随着技术的发展，市场对大功率半导体激光器的输出功率和可靠性的要求不断提高，尤其是对其寿命的要求。因此，优化烧结工艺，尤其是解决“爬铟”问题，对于提升半导体激光器的整体性能和寿命至关重要。 论文还提及，封装工艺是半导体激光器的关键技术之一，它不仅影响到器件的输出功率，还直接影响到器件的可靠性和使用寿命。因此，对于半导体激光器的研发来说，持续探索和改进烧结工艺，如采用侧壁氧化等创新方法，是推动技术进步和满足市场需求的重要方向。 这篇研究工作为半导体激光器的制造提供了新的思路，侧壁氧化工艺的应用有望成为提高大功率808nm半导体激光器性能和可靠性的有效手段。对于整个半导体行业而言，这类研究具有很高的参考价值，有助于推动激光器制造技术的不断发展。