半导体激光器自动温度控制系统优化设计
本文设计了一种基于 C8051F020 单片机的半导体激光器自动温度控制系统,该系统在温度采样、热电制冷器驱动和 PID 控制等方面都进行了优化设计,大大提高了温度控制的精确性和稳定性。
一、自动温度控制系统设计
本系统主要由半导体激光器、温度采样电路、C8051F020 单片机和 TE C 驱动电路几部分组成。系统框图如图 1 所示。温度采样电路采用改进的电压源法,通过计算可以除去电压源的误差带来的影响,提高了温度采样电路的精度。TE C 驱动电路根据输入电压的大小对制冷器进行加热或制冷控制,达到温度控制的目的。
二、温度采样电路设计
温度采样电路是自动温度控制系统的关键部分。电桥法和电压源法是两种常用的温度采样方法,但它们都存在一些缺陷。电桥法采用桥式电路比较电压值来控制 TE C 驱动电路,但由于桥式电路采用的电阻较多,且可调电阻的精度和温度系数指标较低,导致温度控制精度不高。电压源法通过精密电阻和热敏电阻组成的分压网路进行温度采样,但电压源常常容易受到噪声的干扰,导致电压源自身的电压不准,造成温度采样电压不准。因此,本文采用了一种改进的电压源法,通过计算可以除去电压源的误差带来的影响,提高了温度采样电路的精度。
三、TE C 及其驱动电路设计
半导体激光器采用帕尔贴效应的半导体热电制冷器(TE C)作为温度控制元件。TE C 由两种不同半导体材料(P 型和 N 型)组成,当给 TE C 两端通不同方向电流时,可对半导体激光器进行制冷或加热。当给 TE C 两端通不同大小电流时,可改变 TE C 的制冷量或加热量。其加热、制冷效果图如图 3 所示。
四、PID 控制算法设计
PID 控制算法是自动温度控制系统的核心部分。该算法可以根据当前温度和目标温度的差值来计算控制增量,并将控制增量送至 TE C 驱动电路,实现温度控制的目的。
本文设计了一种基于 C8051F020 单片机的半导体激光器自动温度控制系统,该系统在温度采样、热电制冷器驱动和 PID 控制等方面都进行了优化设计,大大提高了温度控制的精确性和稳定性。