大电流窄脉宽半导体激光发射系统研究.pdf

"大电流窄脉宽半导体激光发射系统研究" 大电流窄脉宽半导体激光发射系统是当前激光测距、激光制导、激光近炸引信、目标识别、激光雷达等领域的关键技术。该系统的设计主要基于手持式激光测距仪的要求，对半导体激光器所需要的大电流窄脉宽驱动电路和高压开关电源电路进行理论分析，并通过PSPICE仿真，验证了设计理念，产生高质量激光脉冲，脉宽10ns，上升时间8ns，峰值电流可达20A，重复频率10kHz的脉冲激光半导体发射电路。 大电流窄脉宽半导体激光发射系统的设计主要采用RLC电容放电工作原理，通过开关管VT的闭合和断开，控制电容C的充电和放电，产生脉冲电流，驱动LD导通。该系统的设计还需要考虑电感的存在，构成RLC振荡回路。 在该系统中，选择合适的器件尤为重要。开关管的选取，开关管的导通时间和驱动能力制约着输出脉冲的上升时间和峰值功率，开关管的导通时间越短则上升时间约小。 本文还对大电流窄脉宽半导体激光发射系统的理论分析和仿真结果进行了分析，得出了系统的设计原理和仿真结果，为大电流窄脉宽半导体激光发射系统的设计和开发提供了理论依据。 半导体激光器是电流注入式调制方式，峰值电流越大则峰值功率越高，则测量距离越远。因此，大电流窄脉宽半导体激光发射系统是当前激光探测等领域的关键技术。而大电流通常需要高压驱动，所以升压开关电源的设计也是本文的重点难题。 本文还对大电流窄脉宽半导体激光发射系统的应用前景进行了分析，认为该系统有广泛的应用前景，特别是在激光测距、激光制导、激光近炸引信、目标识别、激光雷达等领域。 大电流窄脉宽半导体激光发射系统是当前激光探测等领域的关键技术，其设计和开发对相关领域的发展具有重要意义。