DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
DDR3和DDR2是两种不同类型的动态随机存取内存（DRAM），主要应用于计算机和其他电子设备中作为临时数据存储。它们之间的区别体现在多个方面，包括逻辑Bank数量、封装、突发长度、寻址时序、新增功能以及电气特性。下面将详细阐述这些差异。
1. **逻辑Bank数量**：DDR2内存提供了4Bank和8Bank的设计，以适应大容量需求。DDR3内存则从2Gb容量开始，起始就采用8个逻辑Bank，并且为未来扩展至16个Bank做了准备。这使得DDR3在处理多任务和大数据量时具有更高的效率。
2. **封装（Packages）**：DDR3的引脚数量比DDR2多，以容纳其新增功能。8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA三种规格。此外，DDR3必须遵循环保标准，采用无害物质的绿色封装。
3. **突发长度（BL，Burst Length）**：DDR3的预取宽度为8bit，故突发传输周期BL固定为8。相对于DDR2的BL=4，DDR3引入了4-bit Burst Chop模式，通过A12地址线控制读写组合以实现BL=8的数据传输。同时，DDR3不再支持突发中断操作，而是采用更灵活的突发传输控制。
4. **寻址时序（Timing）**：DDR3的CL（CAS Latency，列地址访问延迟）周期通常在5到11之间，高于DDR2的2到5。DDR3的AL（Additional Latency）设计也有所改变，提供0、CL-1和CL-2三个选项，而DDR2的AL范围是0到4。另外，DDR3引入了写入延迟（CWD）参数，根据工作频率动态调整。
5. **新增功能**：
- **重置（Reset）**：DDR3新增了重置引脚，允许内存快速初始化并进入低功耗状态。在重置期间，大部分功能被关闭，以达到节能目的。
- **ZQ校准**：ZQ引脚带有一个240欧姆的参考电阻，用于自动校准数据输出驱动器和片上终结电阻（ODT），确保数据传输的准确性和稳定性。
6. **参考电压分立**：DDR3将参考电压VREF分为两个独立的信号，VREFCA用于命令和地址信号，VREFDQ用于数据总线，以提高数据传输的信噪比。
7. **自动自刷新（ASR）**：DDR3的ASR功能根据内置温度传感器自动调整刷新频率，以降低功耗并保持数据完整性。还有SRT（Self-Refresh Temperature）选项，允许用户选择不同温度范围下的刷新策略。
8. **局部自刷新（RASR）**：这是DDR3的一个可选特性，允许只刷新部分逻辑Bank，进一步降低自刷新过程中的电力消耗。
DDR3相较于DDR2在性能、能效和灵活性上都有显著提升，尤其是在处理大量数据和多任务场景下，其更快的传输速度、更高效的电源管理以及增强的校准功能使其成为DDR2的升级替代方案。
