电磁炉维修资源-CSDN文库

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电磁炉维修手册

一、简介

1.1 a

电磁炉原理

1.2 458 系列简介

二、原理分析

2.1 特殊零件简介

2.1.1 LM339 集成电路

2.1.2 IGBT

2.2 电路方框图

2.3 主回路原理分析

2.4 振荡电路

2.5 IGBT

激励电路

2.6 PWM

脉宽调控电路

2.7 同步电路

2.8 加热开关控制

2.9 VAC 检测电路

2.10 电流检测电路

2.11 VCE 检测电路

2.12 浪涌电压监测电路

2.13 过零检测

2.14 锅底温度监测电路

2.15 IGBT

温度监测电路

2.16 散热系统

2.17 主电源

2.18 辅助电源

2.19 报警电路

三、故障维修

3.1 故障代码表

3.2 主板检测标准

3.2.1 主板检测表

3.2.2 主板测试不合格对策

3.3 故障案例

一、简介

1.1 电磁加热原理

电磁灶是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部，由整流电路将

50/60Hz 的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为 20-40KHz 的高频

电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器皿(导磁又导

电材料)底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。

1.2 458 系列筒介

458 系列是由建安电子技术开发制造厂设计开发的新一代电磁炉,介面有 LED 发光二极管显示模式、

LED 数码显示模式、LCD 液晶显示模式、VFD 莹光显示模式机种。操作功能有加热火力调节、自

动恒温设定、定时关机、预约开/关机、预置操作模式、自动泡茶、自动煮饭、自动煲粥、自动煲汤

及煎、炸、烤、火锅等料理功能机种。额定加热功率有 700~3000W 的不同机种,功率调节范围为

额定功率的 85%,并且在全电压范围内功率自动恒定。200~240V 机种电压使用范围为

160~260V, 100~120V 机种电压使用范围为 90~135V。全系列机种均适用于 50、60Hz 的电

压频率。使用环境温度为-23℃~45℃。电控功能有锅具超温保护、锅具干烧保护、锅具传感器开/

短路保护、2 小时不按键(忘记关机) 保护、IGBT 温度限制、IGBT 温度过高保护、低温环境工作模

式、IGBT 测温传感器开/短路保护、高低电压保护、浪涌电压保护、VCE 抑制、VCE 过高保护、过

零检测、小物检测、锅具材质检测。

458 系列须然机种较多,且功能复杂,但不同的机种其主控电路原理一样,区别只是零件参数的差异及

CPU 程序不同而己。电路的各项测控主要由一块 8 位 4K 内存的单片机组成,外围线路简单且零件极

少,并设有故障报警功能,故电路可靠性高,维修容易,维修时根据故障报警指示,对应检修相关单元电

路,大部分均可轻易解决。

二、原理分析

2.1 特殊零件简介

2.1.1 LM339 集成电路

LM339 内置四个翻转电压为 6mV 的电压比较器,当电压比较器输入端电压正向时(+输入端电压高于-

入输端电压), 置于 LM339 内部控制输出端的三极管截止, 此时输出端相当于开路; 当电压比较器输入端电

压反向时(-输入端电压高于+输入端电压), 置于 LM339 内部控制输出端的三极管导通, 将比较器外部接入

输出端的电压拉低,此时输出端为 0V。

2.1.2 IGBT

绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称 IGBT,是一种集 BJT 的大电流密度和

MOSFET 等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。

目前有用不同材料及工艺制作的 IGBT, 但它们均可被看作是一个 MOSFET 输入跟随一个双极型晶体管放

大的复合结构。

IGBT 有三个电极(见上图), 分别称为栅极 G(也叫控制极或门极) 、集电极 C(亦称漏极) 及发射极 E(也称

源极) 。

 从 IGBT 的下述特点中可看出, 它克服了功率 MOSFET 的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导

通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。

IGBT 的特点:

1.电流密度大, 是 MOSFET 的数十倍。

2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。

3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和 BVceo 下, 其导通电阻 Rce(on) 不大于 MOSFET 的 Rds(on) 的

10%。

4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。

5.开关速度快, 关断时间短,耐压 1kV~1.8kV 的约 1.2us、600V 级的约 0.2us, 约为 GTR 的 10%,接近

于功率 MOSFET, 开关频率直达 100KHz, 开关损耗仅为 GTR 的 30%。

 IGBT 将场控型器件的优点与 GTR 的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率

器件。

目前 458 系列因应不同机种采了不同规格的 IGBT,它们的参数如下:

(1)SGW25N120----西门子公司出品,耐压 1200V,电流容量 25℃时 46A,100℃时 25A,内部不带阻尼二

极管,所以应用时须配套 6A/1200V 以上的快速恢复二极管(D11)使用,该 IGBT 配套 6A/1200V 以上的快

速恢复二极管(D11)后可代用 SKW25N120。

(2)SKW25N120----西门子公司出品,耐压 1200V,电流容量 25℃时 46A,100℃时 25A,内部带阻尼二极

管,该 IGBT 可代用 SGW25N120,代用时将原配套 SGW25N120 的 D11 快速恢复二极管拆除不装。

(3)GT40Q321----东芝公司出品,耐压 1200V,电流容量 25℃时 42A,100℃时 23A, 内部带阻尼二极管,

该 IGBT 可代用 SGW25N120、SKW25N120, 代用 SGW25N120 时请将原配套该 IGBT 的 D11 快速恢

复二极管拆除不装。

(4)GT40T101----东芝公司出品,耐压 1500V,电流容量 25℃时 80A,100℃时 40A,内部不带阻尼二极管,

所以应用时须配套 15A/1500V 以上的快速恢复二极管(D11)使用,该 IGBT 配套 6A/1200V 以上的快速恢

复二极管(D11)后可代用 SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套 15A/1500V 以上的快速恢

复二极管(D11)后可代用 GT40T301。

(5)GT40T301----东芝公司出品,耐压 1500V,电流容量 25℃时 80A,100℃时 40A, 内部带阻尼二极管,

该 IGBT 可代用 SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用 SGW25N120 和

GT40T101 时请将原配套该 IGBT 的 D11 快速恢复二极管拆除不装。

(6)GT60M303 ----东芝公司出品,耐压 900V,电流容量 25℃时 120A,100℃时 60A, 内部带阻尼二极管。

2.2 电路方框图

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