求CMOS、NMOS反相器噪声容限+Cadence仿真
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2022-08-16
15:43:45
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CMOS、NMOS 反相器 VTC 转移特性曲线及噪声容限
一、实验目的
1. 了解 CMOS、NMOS 反相器工作原理，利用 Cadence 软件设计并求其
VTC 转移特性曲线；
2. 利用 VTC 转移特性曲线分别求 CMOS、NMOS 反相器噪声容限。
二、实验原理
VTC（Voltage Transfer Curve）转移特性曲线，即 MOS 管电压传输特性，如
图 1 所示。
图 1 电压转移特性（VTC）图
对于纯数字反相器，由于存在一定程度的电容，它们不会立即从“ 1”（逻
辑高）切换到“ 0”（逻辑低）。当逆变器从逻辑高电平过渡到逻辑低电平时，会
有一个不清楚的区域，在该区域中无法考虑电压是低还是高，如图 2 所示。正是
在这一时刻，认为这是噪声余量。因此必须考虑两个噪声容限，它们分别是：高
噪声容限（NMH）和低噪声容限（NML）。逻辑高电平的驱动设备的最小电压输
出（VOH）必须大于逻辑高电平的接收设备的最小电压输入（VIH）。
因此，逻辑高电平的噪声容限 NMH =（VOH–VIH）是仍然可以正确接收
逻辑高电平信号的容差范围。对于低噪声容限，对于逻辑低电平，NML =
（VIL–VOL），规定了线路上逻辑低电平信号的容限范围。噪声容限越小，表
明电路对噪声越敏感。
资源评论
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