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2021年中微公司专题研究报告.pdf
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2021 年中微公司专题研究报告
1. 设备领先国内面向全球,技术壁垒显著
1.1. 刻蚀设备 /MOCVD 设备技术全球领先,业绩快速
发展
国内唯一 7nm/5nm 刻蚀技术设备商, MOCVD 设备市
场份额全球领先。 中微公司主要从事高端半导体设备的研
发、生产和销售,包括半导体集成电路制 造、先进封装、
LED 生产、 MEMS 制造以及其他微观工艺的高端设备等。
公司的等 离子体刻蚀设备已在国际一线客户从 65nm 到
14nm、7nm 和 5nm 的集成电路加工 制造及先进封装中有
具体应用,其中 7nm/5nm 刻蚀技术为国内唯一。公司的
MOCVD 设备在行业领先客户的生产线上已大规模投入生
产。公司已成为世界排名前列、国内 占领先地位的 LED
氮化镓基 MOCVD 设备制造商。
刻蚀设备 /MOCVD 设备是收入主要来源, 2017 年开始
由于 MOCVD 收入大幅提 升,17-18 年实现扭亏为盈。
公司营收 18 年/19 年三季度达到 16.39 亿/12.18 亿,
同比增加 68.66%/24.75% 。从 2017 年起,MOCVD 设备和
刻蚀设备一起成为公司两个主要收入来源,且 MOCVD 设
备超越刻蚀设备达到营业收入的 60% 左右。由于公司采取
降价销售抢占市场,导 致公司毛利率降低, 16-18 年公
司 综 合 毛 利 率 为 42.52%/38.59%/35.50% 。 2018 年 和
2019 年三季度,归母净利润为 0.91 亿和 0.30 亿元。
公司主要产品设备水平皆已达到或优于国际同类水
平。公司刻蚀设备在 65 纳米到 7 纳米的加工上均已实
现产业化, MOCVD 产品已在 全球氮化镓基 LED MOCVD 市
场中占据领先地位,产业融合情况良好。
在逻辑集成电路制造环节, 公司开发的高端刻蚀设备
已运用在国际知名客户最先 进的生产线上并用于 7 纳
米器件中若干关键步骤的加工;同时,公司根据先进集成
电 路厂商的需求开发 5 纳米及更先进的刻蚀设备和工
艺。在 3D NAND 芯片制造环节, 公司的电容性等离子体
刻蚀设备技术可应用于 64 层的量产,同时公司根据存储
器厂 商的需求正在开发 96 层及更先进的刻蚀设备和工
艺。公司的刻蚀设备技术处于世界先进水平,符合产业发
展趋势。
公司的 MOCVD 设备 Prismo D-Blue 、Prismo A7 能
分别实现单腔 14 片 4 英寸 和单腔 34 片 4 英寸外延
片加工能力。公司和诸多一流的 LED 外延片厂商公司紧
密 合作,实现了产业深度融合。同时,公司正在开发更
大尺寸 MOCVD 设备,将有助于 产业的进一步发展。 由于
制造红黄光 LED 、紫外光 LED 、功率器件等都需要 MOCVD
设备,这些设备还有待进一步开发。同时, Mini LED 和
Micro LED 可能带来的显示 器件革命孕育着更大的市场
机会。公司正在研发的 MOCVD 设备也覆盖了紫外光 LED、
Mini LED 市场,与产业发展进一步融合。
1.2. 研发团队实力雄厚,研发投入占比合理
1.2.1 公司研发人员 +技术人员占比接近 60% ,技术
团队来自领先国际大厂。
根据公司招股说明书,公司研发人员、技术人员共有
381 名,占员工总数的 58%, 涵盖了等离子体物理、射频
及微波学、结构化学、微观分子动力学、光谱及能谱学、
真空机械传输等相关学科的专业人员, 并且 2019 年研发
人员数量再次增长, 根据 2019 那边年报,公司目前研发
人员 276 人,占公司总人数的 38.17% 。研发人员中, 硕
士、博士 136 名,占研发人员的 49% 。公司创始人、董
事长及总经理尹志尧博士 在半导体芯片和设备产业有
35 年行业经验,是国际等离子体刻蚀技术发展和产业化
的重要推动者。公司的其他联合创始人、核心技术人员和
重要的技术、工程人员,包 括杜志游博士、倪图强博士、
麦仕义博士、杨伟先生、李天笑先生等 160 多位各专业
领域的专家,很多是在国际半导体设备产业耕耘数十年,
为行业发展做出杰出贡献的 资深技术和管理专家。
1.2.2 公司保持大额研发投入,研发规模效应显现。
公 司 16-19 年 研发占 营收 比 例分别 为 49%/ 34%/
24%/ 22% ,占比近年下降的原 因是主营业务高速发展,
收入同比增幅高于研发投入同比增幅。 (1)相较 A 股同
行 业上市公司北方华创,最近三年累计研发投入占营业
收入的比例相近,北方华创为 33.03% ,公司为 32.20% 。
(2)公司同时承担国家科技发展重大专项研发项目,是
执 行国家科技发展重大专项的标杆单位,公司承担国家
研发项目能够省去公司部分研发 投入,提升技术研发效
率。( 3)公司研发费用部分资本化,以 2019 年为例,
公司实 际研发投入 42,457.24 万元,政府补助抵减研发
费用 1,549.47 万元,计入研发费用 23,372.97 万元,
开发支出资本化 17,534.80 万元。
1.2.3 公司拥有专利千余项,有充分经验应对国际知
识产权挑战。
自公司设立至 2019 年 6 月末,公司申请了 1,280
项专利,其中海外发明专利 548 项;已获授权专利 961
项。最新年报显示,公司累计申请 1,468 项专利,已获
1,016 项专利。公司在与国际半导体设备领先公司数轮的
商业秘密和专利诉讼中均达 成和解或胜诉,以事实结果
证明了公司扎实的自主知识产权基础和应对国际复杂知
识 产权挑战的能力。
1.3. 公司股权结构分散, 政府为第一大股东, 政策支
持力度明显
上海市国资委为公司第一大股东, 利用市场机制打造
本土半导体高新企业。中微公司实际控制人为上海国资
委,通过上海创投持股 20.02% ,第二大股东为 巽鑫投资,
实控人为国家集成电路产业投资基金。 政府控股有望给公
司带来丰富资源 和政策扶持,打造中国高新技术企业。
公司于 2018-2021 年获得高新技术企业资格, 未来三年
将持续享受 15% 优惠税率,公司研发和税收都收到政府优
惠支持,有助于 公司未来利润增长。
2. 刻蚀设备:对标泛林半导体,关键技术已达国际
水 平
2.1. 刻蚀作为芯片生产关键工艺, 约占晶圆设备投入
的 1/4
2.1.1 薄膜沉积、光刻和刻蚀是芯片制造三大核心工
艺。
薄膜沉积工艺系在晶圆上沉积一层待处理的薄膜, 匀
胶工艺系把光刻胶涂抹在薄 膜上,光刻和显影工艺系把
光罩上的图形转移到光刻胶, 刻蚀工艺系把光刻胶上图形
转移到薄膜,去除光刻胶后,即完成图形从光罩到晶圆的
转移。制造芯片的过程需要 数十层光罩,并通过薄膜沉
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