Si1000芯片手册

### Si1000系列芯片综合解析：超低功耗微控制器与集成射频收发器 #### 超低功耗特性 Si1000系列芯片以其卓越的超低功耗性能著称，其工作电压范围为0.9至3.6V，能够满足各种电源条件下的应用需求。在睡眠模式下，典型电流消耗小于0.1μA，即使在全电压范围内保持状态和RAM内容，快速唤醒时间小于2μs，这使得它非常适合于电池供电的设备。此外，当实时时钟（RTC）运行时，芯片的功耗可降低至600nA以下；若同时保留无线电状态，功耗进一步减少至1μA以下。内置的直流-直流转换器允许芯片在低至0.9V的电压下正常工作，增强了其在低电压环境下的适应能力。 #### 高精度10位模数转换器（ADC） 该系列芯片配备了一个高性能的10位ADC，采样速率可达300ksps，支持最多18个外部输入，提供外部引脚或内部参考电压选项，无需外接电容即可操作。芯片内置温度传感器，可进行温度监测。此外，还提供了外部转换启动输入选项以及自主突发模式，后者包含一个16位自动平均累加器，用于提高数据处理效率和精度。 #### 双比较器功能 Si1000系列芯片集成了双比较器，具有可编程迟滞和响应时间，可配置为中断或复位源，且功耗极低，仅为0.5μA左右，为系统设计提供了更多的灵活性。 #### 在线调试功能 芯片内置的在线调试电路使全速、非侵入式的在系统调试成为可能，无需外部仿真器。它支持断点设置、单步执行、内存和寄存器的检查及修改等功能，同时提供完整开发工具包，大大简化了开发流程。 #### 高速8051微控制器核心 采用流水线指令架构，Si1000系列的8051微控制器核心可以实现70%的指令在一到两个系统时钟周期内执行，最大吞吐量可达25MIPS，支持高达25MHz的时钟频率。它还具有扩展的中断处理器，提高了系统的响应速度和效率。 #### 内存配置 Si1000/2/4型号提供64kB Flash存储空间，而Si1001/3/5型号则为32kB，两者均支持在系统编程，并以1024字节扇区为单位进行编程，其中64kB设备中预留了1024字节。此外，所有型号均配备4352字节的内部数据RAM（包括256字节+4096字节）。 #### EZRadioPRO®射频收发器 该系列芯片集成的EZRadioPRO®收发器覆盖240–960MHz的频率范围，灵敏度可达-121dBm，支持FSK、GFSK和OOK调制方式，最大输出功率为+20dBm（Si1000/1）和+13dBm（Si1002/3/4/5）。在接收状态下，RF功耗为18.5mA，在不同发射功率下，分别为18mA@+1dBm、30mA@+13dBm和85mA@+20dBm。数据传输速率介于0.123至256kbps之间，具备自动频率校准（AFC）、天线分集和收发开关控制功能，以及可编程的数据包处理器。芯片内部还设有64字节的发送和接收FIFO缓冲区，支持频率跳跃能力和晶体调谐，提升了无线通信的可靠性和安全性。 #### 数字外设 Si1000系列芯片配备了丰富的数字外设资源，包括19或16个端口I/O引脚，加上3个GPIO引脚，硬件增强型UART、SPI和I2C串行端口可同时使用，提供低功耗的32位SmaRTClock时钟管理功能，以及四个通用定时器，这些资源共同构成了强大的嵌入式系统开发平台。 Si1000系列芯片凭借其超低功耗、高性能的射频收发器、高精度ADC、双比较器、高速8051核心、在线调试功能以及丰富的内存和数字外设资源，成为了物联网、无线传感器网络和其他低功耗应用领域的理想选择。