旁路及去耦合 Bypassing and
Decoupling
防止 RF 能量由一電路轉移至另一電路之技術
Decoupling 電容是為了在 clock 或 data 轉換時,提供足夠之 dc 電壓及電流
給元件之正常操作
Decoupling (去耦合)
去耦合電容將高頻元件產生在電源平面上之 RF 能量移
除
藉由放置一去耦合電容鄰近於 IC 之電源腳做為電流儲蓄可達成一小區域環路
當使用去耦合電容時重要的是減短接腳之長度並且儘量靠近元件旁邊
在放置去耦合電容時,需時時考慮地迴路之控制
Bypassing (旁路)
旁路電容能移除不需要的 RF 雜訊,避免其耦合元件或
cable 之 common-mode EMI 進入敏感區域,且提供濾波功能
Bulk (大型)大型電容是當在最大負載下,所有信號腳同時切換時,對元件保持
其 dc 電流及電壓穩定。它同時可防止因元件之電流湧浪( dI/dt )造成之
電源失
效
在某些應用,需要並聯兩個電容以達到較寬的 RF 壓制頻帶。這兩個電容應相差
100 倍(如 0.1 與 0.001F ),才能達到最佳效果
VLSI 及高速元件,需要並聯的去耦合電容
去耦合電容通常為 0.1F 並聯 0.001F
對 50MHz 以上及更高之 clock 頻率,使用 0.01F 並聯 100pF