2
电压传输特性 开门/关门电平 逻辑摆幅 过渡区宽度 输入短路电流 输入漏电流
静态功耗 瞬态延迟时间 瞬态存储时间 瞬态上升时间 瞬态下降时间
瞬时导通时间
2. 分析四管标准 TTL 与非门(稳态时)各管的工作状态?
3. 在四管标准与非门中,那个管子会对瞬态特性影响最大,并分析原因以及带来那些困难。
4. 两管与非门有哪些缺点,四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在那些地方做了改
善,并分析改善部分是如何工作的。四管和五管与非门对静态和动态有那些方面的改进。
5. 相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善, 分析改进部分是如何工作的。
6. 画出四管和六管单元与非门传输特性曲线。并说明为什么有源泄放回路改善了传输特性
的矩形性。
7. 四管与非门中,如果高电平过低,低电平过高,分析其原因,如与改善方法,请说出你
的想法。
8. 为什么 TTL 与非门不能直接并联?
9. OC 门在结构上作了什么改进,它为什么不会出现 TTL 与非门并联的问题。
第 5 章 MOS 反相器
1.
请给出
NMOS
晶体管的阈值电压公式,并解释各项的物理含义及其对阈值大小的影响 (即
各项在不同情况下是提高阈值还是降低阈值) 。
2. 什么是器件的亚阈值特性,对器件有什么影响?
3. MOS 晶体管的短沟道效应是指什么,其对晶体管有什么影响?
4. 请以 PMOS 晶体管为例解释什么是衬偏效应, 并解释其对 PMOS 晶体管阈值电压和漏源
电流的影响。
5. 什么是沟道长度调制效应,对器件有什么影响?
6. 为什么 MOS 晶体管会存在饱和区和非饱和区之分(不考虑沟道调制效应)?
7.
请画出晶体管的
D DS
I V
特性曲线,指出饱和区和非饱和区的工作条件及各自的电流方程
(忽略沟道长度调制效应和短沟道效应) 。
8.给出 E/R 反相器的电路结构,分析其工作原理及传输特性,并计算 VTC 曲线上的临界电
压值。
9.考虑下面的反相器设计问题:给定 VDD =5V ,KN `=30uA/V
2
,VT0=1V
设计一个 V
OL
=0.2V
的电阻负载反相器电路,并确定满足
V
OL
条件时的晶体管的宽长比
(W/L) 和负载电阻 R
L
的阻值。
10.
考虑一个电阻负载反相器电路:
VDD =5V
,
KN `=20uA/V
2
,
VT0=0.8V
,
RL=200KΩ
,
W/L=2
。
计算
VTC
曲线上的临界电压值(
V
OL
、
V
OH
、
V
IL
、
V
IH
)及电路的噪声容限,并评价该直流
反相器的设计质量。
11.
设计一个
VOL=0.6V
的电阻负载反相器,增强型驱动晶体管
VT0=1V
,
VDD =5V
1)求 VIL
和
V
IH
2
)求噪声容限
V
NML
和 V
NMH
12.
采用
MOSFET
作为
nMOS
反相器的负载器件有哪些优点?
13.
增强型负载
nMOS
反相器有哪两种电路结构?简述其优缺点。
14.
以饱和增强型负载反相器为例分析
E/E
反相器的工作原理及传输特性。
15 试比较将 nMOS E /E 反相器的负载管改为耗尽型 nMOSFET 后,传输特性有哪些改善?
16.
耗尽型负载
nMOS
反相器相比于增强型负载
nMOS
反相器有哪些好处?
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