IR2110S 数据手册 本文档为 IR2110S 数据手册,旨在提供该高压高速 power MOSFET 和 IGBT 驱动器的详细信息和技术规格。 1. 产品概述 IR2110S 是一款高压高速 power MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高低侧输出通道。该器件采用专有的 HVIC 和 latch 免疫 CMOS 技术,实现了 ruggedized 的单片集成电路构造。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,下至 3.3V 逻辑。 2. 特征 * 浮动通道设计,适用于 bootstrap 操作 * 完全操作至 +500V 或 +600V * 能够耐受负瞬态电压 dv/dt 免疫 * 闸驾驶电源范围从 10 到 20V * 具有 Undervoltage 锁定功能,适用于两通道 * 3.3V 逻辑兼容 * 逻辑电源范围从 3.3V 到 20V * 电源和逻辑地 ±5V 偏移 * CMOS Schmitt 触发器输入,具有下拉电阻 * 周期性边缘触发关闭逻辑 * 两个通道的传播延迟相匹配 * 输出与输入同步 3. 工作条件 * 输入/输出逻辑时序图见图 1 * 建议使用条件:VS 和 VSS 偏移等级 4. 应用场景 IR2110S 可以应用于各种高压高速 power MOSFET 和 IGBT 驱动场景,例如电源供应、机电一体化、汽车电子等领域。 5. Pin 配置和封装 IR2110S 采用 14 引脚 PDIP 封装和 16 引脚 SOIC 封装,详细的 Pin 配置和封装信息请参阅附加的应用笔记和设计提示。 6. 重要参数 * 最高工作电压:500V 或 600V * 输出电流:±2A * 输入/输出逻辑电平:3.3V * 传播延迟:120 ns (IR2110),20 ns (IR2113) * 工作温度范围:-40°C 到 150°C IR2110S 是一款功能强大、高可靠性的高压高速 power MOSFET 和 IGBT 驱动器,广泛应用于各种高压高速驱动场景。
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