集成电路制造工艺设计及原理期末答卷.doc

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1) 举例答复集成电路主要集成了哪些器件?【5 分】

• 2) 最少给出两个集成电路选用硅半导体的理由。【5 分】

• 3) 在清洗过程中用到的进入冲洗池的纯洁水的电阻(率)在出水口处为多大时说明硅片已经

被洗净? 【5 分】

• 4) 常见的半导体的沾污有哪些种类?【5 分】

• 5) 说明正光刻胶和负光刻胶在曝光过程中的变化和区别。 【5 分】

• 6) 为什么要进展曝光前和曝光后烘焙、怎样提高光刻分辨率? 【10 分】

• 10) 以 CMOS 的 nMOS 形成工艺为例来说明，在离子注入工艺中用了多道该工艺步骤，

这些步骤有什么目的或起到什么作用。【15 分】

• 11) 等离子体是现代集成电路工艺中不可或缺的加工手段和材料，根据你的理解和掌握，

请就等离子体在集成电路工艺中有哪些应用进展详细的阐述。 【15 分】

1) 举例答复集成电路主要集成了哪些器件?【5 分】

答：

集成电路主要集成了晶体管、二极管、电阻和电容。

2) 最少给出两个集成电路选用硅半导体的理由。 【5 分】

答：

〔1〕硅存量丰富，是地球上第二丰富的元素，占到地壳成分的 25%，经合理加工，能够提纯

在清洗过程中纯洁水的电阻率为 18MΩ 时说明硅片已经被洗净。

4) 常见的半导体的沾污有哪些种类?

〔1〕颗粒

〔2〕金属杂质

〔3〕有机物沾污

〔4〕自然氧化层

〔5〕静电释放

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