存储器 EN25T80 数据手册

根据提供的文档信息，我们可以总结出关于EN25T80这款串行闪存（Flash）存储器的关键技术特点和功能： ### 基本特性 **EN25T80**是一款8M位（1024K字节）的串行闪存存储器，具有先进的写保护机制，并通过高速SPI兼容总线进行访问。 - **单电源操作**：支持全电压范围（2.7V至3.6V）的单电源操作。 - **容量与结构**： - 总容量为8M位（即1024K字节）。 - 分为4096个页面，每个页面大小为256字节。 - 包含256个扇区，每个扇区大小为4K字节。 - 包含16个块，每个块大小为64K字节。 - **高性能**： - 支持高达100MHz的时钟频率。 - 双数据模式，提供更高的数据传输速率。 - **低功耗**： - 典型活动电流仅为5mA。 - 功耗模式下典型电流仅1微安。 - **统一扇区架构**： - 扇区可独立擦除，每个扇区大小为4K字节。 - 块可独立擦除，每个块大小为64K字节。 - **软件与硬件写保护**： - 可通过软件设置部分或全部内存的写保护状态。 - 通过WP#引脚启用/禁用写保护。 - **编程/擦除速度**： - 页面编程时间：1.5毫秒（典型值）。 - 扇区擦除时间：150毫秒（典型值）。 - 块擦除时间：800毫秒（典型值）。 - 整芯片擦除时间：10秒（典型值）。 - **安全性**： - 提供256字节的一次性可编程（OTP）安全扇区，用于加密或锁定关键信息。 - **耐久性**： - 每个扇区最小支持100,000次编程/擦除循环。 - **封装选项**： - 8引脚SOP封装，200mil宽体。 - 8引脚PDIP封装。 - 8接触VDFN封装。 - 所有无铅封装均符合RoHS标准。 - **温度范围**： - 支持商用和工业级温度范围。 ### 一般描述 EN25T80设计为允许单个扇区或整芯片擦除操作。它可以通过软件配置来保护内存的部分区域，进入软件保护模式。该设备在每个扇区上至少支持100,000次编程/擦除周期。 ### 信号描述 - **串行数据输入 (DI)**：用于向设备发送数据的串行输入信号。 ### 结构图与框图 文档还提供了连接图和框图，展示了EN25T80的物理连接方式以及内部结构，包括各种信号线和内部组件之间的连接情况。 ### 结论 EN25T80是一款高性能、低功耗的8M位串行闪存存储器，特别适用于需要高可靠性和快速数据传输的应用场景。其先进的写保护机制和灵活的擦除选项使得它成为多种嵌入式系统中的理想选择。此外，其多样化的封装选项也使得它能够适应不同的安装需求和环境条件。