LPDDR2 256*32

### LPDDR2 256*32 168BALL EDB8132B3PB 知识点解析 #### 一、产品概述 根据文档提供的信息，这款产品是一款LPDDR2（低功耗双倍数据速率第二代）内存模块，型号为EDB8132B3PB，其主要特性包括： - **密度**：8Gbits - **组织结构**： - 16M words × 32bits × 8 banks × 2 ranks - 一个封装内包含两片4Gb (×32) 的芯片 - **数据率**：最高可达1066Mbps - **封装形式**：168-ball FBGA - 尺寸：12.0mm × 12.0mm - 球间距：0.5mm - 符合RoHS标准，无铅且不含卤素 - **电源供应**： - VDD1：1.70V 至 1.95V - VDD2, VDDQ：1.14V 至 1.30V - **接口**：HSUL_12 - **工作温度范围**：-30°C 至 +85°C #### 二、技术特点 该产品还具有以下显著的技术特点： - **符合JEDEC LPDDR2-S4B规范**：这意味着它遵循了JEDEC（联合电子设备工程委员会）制定的标准。 - **不实施DLL**：未采用延迟锁定环路（DLL），这在某些应用中可以降低复杂性和成本。 - **低功耗**：采用了多种技术来降低能耗，非常适合移动设备。 - **移动RAM功能**： - Partial Array Self-Refresh (PASR)：部分阵列自刷新，可以在一定程度上降低功耗。 - Auto Temperature Compensated Self-Refresh (ATCSR)：通过内置温度传感器实现自动温度补偿自刷新，进一步提高能效。 - Deep power-down mode：深度省电模式，大幅减少待机时的能耗。 - Per Bank Refresh：按银行刷新，可以更灵活地管理内存资源。 #### 三、封装与引脚配置 该内存模块采用的是168-ball FBGA封装，尺寸为12mm × 12mm，球间距为0.5mm。引脚配置方面，主要包括以下几类： - **地址线（CA0到CA9）** - **数据总线（DQ0到DQ31）** - **数据选通信号（DQS0到DQS3）及其反相信号（/DQS0到/DQS3）** - **控制信号**： - /CS0 和 /CS1（片选信号） - CKE0 和 CKE1（时钟使能信号） - CK 和 /CK（时钟信号及其反相信号） - **电源和接地**： - VDD1、VDD2、VDDQ（电源电压） - VSS（接地） #### 四、订购信息 文档中还提供了产品的订购信息，例如： - **产品型号**：EDB8132B3PB - **组织结构**：256M × 32 - **数据率**： - 1066Mbps（EDB8132B3PB-1D-F） - 800Mbps（EDB8132B3PB-8D-F） - **封装形式**：168-ball FBGA #### 五、电气规格 文档还包含了详细的电气规格，例如： - **绝对最大额定值**：这些是设备能够承受的最大电压和电流等值。 - **推荐的直流工作条件**：指定了在正常使用条件下，电源电压和其他参数的推荐范围。 - **直流和交流特性**：详细列出了在不同操作条件下，各种信号的典型值和最大最小值。 这款LPDDR2 256*32 168BALL EDB8132B3PB是一款高性能、低功耗的移动内存解决方案，适用于各种便携式电子设备。它不仅具有高密度和高速度，而且在节能方面也有出色的表现，是移动设备设计的理想选择。