在一个晶圆上,通常有几百个至数千个芯片连在一起。它们之间留有 80um 至 150um 的间
隙,此间隙被称之为划片街区( Saw Street)。将每一个具有独立电气性能的芯片分离出来
的过程叫做划片或切割( Dicing Saw )。目前,机械式金刚石切割是划片工艺的主流技术。
在这种切割方式下,金刚石刀片( Diamond Blade )以每分钟 3 万转到 4 万转的高转速切割
晶圆的街区部分, 同时,承载着晶圆的工作台以一定的速度沿刀片与晶圆接触点的切线方向
呈直线运动,切割晶圆产生的硅屑被去离子水( DI water )冲走。依能够切割晶圆的尺寸 ,
目前半导体界主流的划片机分8英寸和 12 英寸划片机两种。
晶圆划片工艺的重要质量缺陷的描述
崩角 (Chipping)
因为硅材料的脆性, 机械切割方式会对晶圆的正面和背面产生机械应力, 结果在芯片的
边缘产生正面崩角( FSC- Front Side Chipping )及背面崩角( BSC ? Back Side Chipping )。
正面崩角和背面崩角会降低芯片的机械强度, 初始的芯片边缘裂隙在后续的封装工艺中
或在产品的使用中会进一步扩散,从而可能引起芯片断裂,导
致电性失效。 另外,如果崩角进入了用于保护芯片内部电路、 防止划片损伤的密封环 (Seal
Ring)内部时,芯片的电气性能和可靠性都会受到影响。
封装工艺设计规则限定崩角不能进入芯片边缘的密封圈。 如果将崩角大小作为评核晶圆
切割质量/能力的一个指标,则可用公式来计算晶圆切割能力指数( Cpk )(图 1)。