１．９
０．９５
０．９５
２．９
０．４
１．３
２．４
１．０
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
S9014LT1 TRANSISTOR（ NPN ）
FEATURES
Power dissipation
P
CM
: 0.2 W（Tamb=25℃）
Collector current
I
CM
: 0.1 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: 50 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
，T
stg
: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃ unless otherwise specified）
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V
(BR)CBO
Ic= 100μA， I
E
=0 50 V
Collector-emitter breakdown voltage V
(BR)CEO
Ic= 0.1mA， I
B
=0
45 V
Emitter-base breakdown voltage V
(BR)EBO
I
E
=100μA， I
C
=0 5 V
Collector cut-off current I
CBO
V
CB
=50 V , I
E
=0 0.1 μA
Collector cut-off current I
CEO
V
CE
=35V , I
B
=0 0.1 μA
Emitter cut-off current I
EBO
V
EB
= 3V , I
C
=0 0.1 μA
DC current gain h
FE
V
CE
=5V, I
C
= 1mA 200 1000
Collector-emitter saturation voltage V
CE
(sat) I
C
=100 mA, I
B
= 5mA 0.3 V
Base-emitter saturation voltage V
BE
(sat) I
C
=100 mA, I
B
= 5mA 1 V
Transition frequency f
T
V
CE
=5V, I
C
= 10mA
f=30MHz
150 MHz
CLASSIFICATION OF h
FE(1)
Ｒａｎｋ Ｌ Ｈ
Ｒａｎｇｅ ２００－４５０ ４５０－１０００
DEVICE MARKING :S9014LT1=J6
Unit : mm
SOT—23
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
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chenchain
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