《微电子器件课程复习题集》涵盖了微电子领域中关键的PN结理论及其应用，以下是根据文档内容提炼出的相关知识点：
1. **PN结的基本性质**：PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的，P区的多子是空穴，N区的多子是电子。在室温下，P区的平衡多子浓度（pp0）和N区的平衡少子浓度（np0）由掺杂浓度决定。
2. **空间电荷区**：PN结内部形成的空间电荷区中，P区一侧带有负电荷，N区一侧带有正电荷，内建电场从N区指向P区，推动空穴向P区、电子向N区运动。
3. **耗尽近似与泊松方程**：在耗尽近似下，N型耗尽区的泊松方程揭示了掺杂浓度与内建电场的关系，高掺杂浓度会导致内建电场斜率增大。
4. **PN结参数**：PN结的掺杂浓度越高，势垒区的长度越短，内建电场最大值越大，内建电势Vbi也越大，反向饱和电流I0越小，势垒电容CT越大，雪崩击穿电压越小。
5. **内建电势Vbi**：硅突变结的内建电势Vbi可用公式表示，室温下典型值为0.8伏特。
6. **正向与反向偏压**：正向电压会使势垒区宽度减小，势垒高度降低；反向电压则相反，宽度增加，高度提高。
7. **中性区与耗尽区边界**：在外加电压的影响下，边界上的少子浓度会发生变化。正向电压时，少子浓度大于平衡值；反向电压时，少子浓度小于平衡值。
8. **少子浓度与电压关系**：在P型中性区与耗尽区边界上，少子浓度与电压的关系可以通过公式表示。给定条件下，可以计算特定电压下的少子浓度。
9. **正向与反向电流**：正向电流主要由空穴扩散、电子扩散和势垒区复合电流组成，电荷来源主要是多子；反向电流主要由少子造成，很小。
10. **扩散与复合过程**：正向电压下，N区注入P区的非平衡电子扩散并复合，每扩散一定距离，非平衡电子浓度会显著减少。
11. **扩散电流表达式**：扩散电流的表达式在正向和反向电压下有不同的简化形式。
12. **薄基区二极管**：这种二极管的特性在于其中一个或两个中性区长度小于少子扩散长度，导致少子浓度呈线性分布。
13. **小注入与大注入条件**：小注入条件指非平衡少子浓度远小于平衡多子浓度，大注入则相反。这两种条件会影响载流子的行为和器件性能。
14. **势垒电容与扩散电容**：势垒电容反映的是PN结微分电荷对电压的变化率，掺杂浓度高则电容大，反向电压高则电容小。扩散电容则反映了非平衡载流子电荷随电压的变化率，正向电流大和少子寿命长都会增加扩散电容。
15. **反向电流与反向恢复时间**：反向电流在电压由正变反后一段时间内较大，这是由于N区中的非平衡载流子电荷，通过反向电流抽取和自身复合消失。
16. **提高开关速度的措施**：降低少子寿命、加快反向复合以及减薄轻掺杂区的厚度，都能有效提升开关管的开关速度。
17. **PN结击穿**：主要有雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿三种机制，掺杂浓度高、结深浅会导致雪崩击穿电压降低。
18. **击穿条件**：雪崩击穿需要强电场引发载流子倍增，齐纳击穿则是由于高掺杂导致内建电势下降。
19. **基区输运系数**：基区输运系数描述了基区中到达集电结的少子与发射结注入基区的少子的比例，受复合影响，通常小于1，减小基区宽度有利于提高此系数。
20. **注入效率**：注入效率定义为从发射区注入基区的少子电流与总发射极电流之比，提高注入效率可通过增加发射区掺杂浓度。
21. **电流放大系数**：共基极直流短路电流放大系数和共发射极直流短路电流放大系数分别衡量不同偏置条件下集电极电流与发射极或基极电流的关系。
这些知识点是微电子器件课程的基础，理解和掌握它们对于深入学习半导体物理、集成电路设计等高级主题至关重要。
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