标题中提到的《Application Guide Snubber Capacitors.pdf》是一份指导手册，它主要关于应用指导电容器作为尖峰抑制器（Snubber）的使用。描述部分强调了尖峰抑制器在开关电源中抑制电压峰值、环状振荡和限制开关晶体管和整流二极管上峰值电压的作用。同时减少电磁干扰（EMI）的发射频率和幅度。文中还提到了设计RC尖峰抑制网络的方法，强调了在组件选择时对电阻器和电容器类型的具体要求。
具体来说，文档中描述的尖峰抑制器（Snubber）电路，是用来消除由于电路电感在开关（无论是机械开关还是半导体开关）打开时所产生的电压尖峰。其目的是通过提供一个替代路径，来消除开关打开时的电压瞬变和振荡，其工作原理是吸收电路内在漏感中流过的电流。在开关模式电源中，尖峰抑制器可以实现三个功能：调整双极晶体管的负载线以保持其在安全操作区；从开关晶体管中移除能量并消耗在电阻器上以降低结温；减少环状振荡，限制晶体管或整流二极管上的峰值电压，并通过减少发射频率和幅度来减少电磁干扰（EMI）。
文档中提出了一个最流行的尖峰抑制器电路设计，即在开关两端并联一个电容器和一个串联电阻器。这个RC抑制器网络的设计需要仔细选择合适的电容器和电阻器。在电阻器的选择上，需要选择非感性的电阻器，例如碳质合成电阻器是一个不错的选择。由于它们的螺旋状磨损模式，应避免使用线绕电阻器。对于电容器的选择，需要能够承受在尖峰抑制器中出现的极高的峰值电流。对于0.01μF以下的电容值，首先应考虑使用浸渍云母电容器。对于更高电容值的场合，则需要选择Type DPP或Type WPP型号的聚丙烯膜/箔电容器，取决于所需的电压和电流能力。在考虑耐压能力时，Type DPP电容器的最高额定电压为630Vdc，而Type WPP电容器的最高额定电压可达1000Vdc。对于更高电压和电容的应用，建议使用聚丙烯膜/箔电容器，选择从Type DPFF和Type DPPS系列中根据所需的案例尺寸进行选择。对于最小的案例尺寸，可以选择Type DPPM或Type DPMF，但是需要了解这些类型使用的是浮游金属化薄膜，这会降低其承受峰值电流的能力，只有其他高电压选择的三分之一到五分之一。
文档还提到，选择过程在目录中是相当直观的——峰值电流和均方根电流能力都与电容器一起提供。在实际操作中，设计人员必须确保所有选择的元件都能够满足他们的特定应用要求，包括它们的电压和电流能力，以确保尖峰抑制器的有效性和可靠性。
总结来说，该文档详细介绍了尖峰抑制器电路设计的具体步骤和关键要素，包括如何选择电阻器和电容器，以及如何根据不同规格选择合适的部件，确保尖峰抑制器在消除开关时产生的电压尖峰和环状振荡的同时，降低对开关器件和整流二极管的损害，减少电磁干扰。这是一个重要的设计概念，尤其是在开关电源的设计和应用中，对电路的稳定性和寿命有着直接的影响。
