USB 2.0高速端口的ESD保护

"USB 2.0 高速端口的 ESD 保护" 在电子系统中，静电放电（ESD）事件可能会对低功率逻辑芯片造成永久损坏。为保护 USB 2.0 高速端口，设计人员必须为 USB 元件提供 ESD 保护。业界制定了不少针对不同瞬态干扰的 ESD 标准，如 IEC61000-4-2 国际标准等。USB 2.0 高速数据线路应用的半导体 ESD 保护元件应当具备以下重要特性：极低电容、快速动作响应时间、低泄漏电流、强固性、小封装等。 安森美半导体的 NUP4114UPXV6 是一款非常适合 USB 2.0 高速数据线路 ESD 保护的 TVS 二极管阵列。该器件具有 0.8pF 的极低电容，能将 USB 2.0 高速数据线路中的信号衰减降至最低。该器件满足 13 kV 接触放电的系统级 IEC61000-4-2 标准，并能承受人体模型 3B 类和机器模型 C 类的 CMOS 器件级 ESD 额定脉冲，具有强固的 ESD 保护性能。 NUP4114UPXV6 可以保护多达 4 条数据线路，驱使瞬态过压达到钳位参考点，让应用免受瞬态过压条件影响。该器件有 3 种配置选择，可以根据不同的应用场景选择合适的配置方式。 在 USB 2.0 高速数据应用中，NUP4114UPXV6 可以保护 4 条数据线路，驱使瞬态过压达到钳位参考点，让应用免受瞬态过压条件影响。USB 控制器如果发生 ESD 瞬态事件，器件中的控向二极管使瞬态电流避开受保护的 IC，而集成的TVS 器件将浪涌电流转移到地。TVS 元件还会抑制电压总线（VBUS）上的 ESD 事件。NUP4114UPXV6 通过这些方式保护 USB 2.0 高速数据线路应用中的敏感 IC。 此外，NUP4114UPXV6 还可以用于其他 USB 2.0 高速应用的 ESD 保护方案，例如计算机、手机、MP3 播放器等应用中的高速数据线路的 ESD 保护。