2SJ660-VB一款P-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SJ660-VB；Package：TO263；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-60V；VGS：20（±V）；Vth：-1.7V；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V；ID：-35A；Technology：Trench；