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2SJ418-VB一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
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2024-08-17
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2SJ418-VB;Package:TO252;Configuration:Single-P-Channel;VDS:-30V;VGS:20(±V);Vth:-1.7V;RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V;RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V;ID:-38A;Technology:Trench;
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