2SJ418-VB一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2SJ418-VB；Package：TO252；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-30V；VGS：20（±V）；Vth：-1.7V；RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V；ID：-38A；Technology：Trench；