100N04-VB TO263；Package：TO263；Configuration：Single-N-Channel；VDS：40V；VGS：20（±V）；Vth：3V；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V；ID：150A；Technology：Trench；
### 100N04-VB TO263 N-Channel MOSFET 晶体管参数介绍与应用说明
#### 产品概述
100N04-VB TO263 是一款采用 TO263 封装的单 N-Channel 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于同步整流和电源供应器领域。该 MOSFET 的主要特性包括：最大漏源电压 VDS 为 40V、最大栅源电压 VGS 为 ±20V、阈值电压 Vth 为 3V，在不同栅极驱动电压下导通电阻 RDS(ON) 分别为 2.5mΩ（VGS=4.5V）和 2mΩ（VGS=10V），最大连续电流 ID 为 150A。
#### 主要特点
- **TrenchFET® 功率 MOSFET 技术**：通过采用先进的沟槽结构，提高了器件的整体性能，降低了导通电阻，减少了开关损耗。
- **高可靠性**：所有产品均经过严格的 Rg 和 UIS 测试，确保了在实际应用中的可靠性和耐用性。
#### 应用场景
- **同步整流**：适用于需要高效能转换的应用，如服务器、个人电脑、笔记本电脑等设备中的 DC/DC 转换器。
- **电源供应器**：广泛应用于各类开关电源（SMPS）和逆变器系统中，提供高效的功率转换能力。
#### 产品规格概览
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| RDS(on) | - | VGS=10V | - | 0.0017 | - | Ω |
| RDS(on) | - | VGS=4.5V | - | 0.0025 | - | Ω |
| VDS | - | VGS=0V, ID=250μA | 45 | - | - | V |
| ID | - | TC=25°C | - | 150 | - | A |
| Qg(Typ.) | - | - | - | 120nC | - | - |
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压** (VDS)：±2V
- **栅源电压** (VGS)：5V
- **连续漏极电流** (ID)：根据环境温度的不同，其最大值分别为 150A (TJ=175°C)、120A (TC=25°C)、110A (TC=70°C)
- **脉冲漏极电流** (IP)：380A
- **雪崩电流脉冲** (IA)：80A
- **单脉冲雪崩能量** (EA)：320mJ
- **连续源漏电流** (IS)：110A (TC=25°C)
- **最大功耗** (PD)：根据环境温度的不同，其最大值分别为 312W (TC=25°C)、200W (TCW=70°C)
- **工作结温范围** (TJ, Tstg)：-55°C 至 150°C
#### 热阻特性
- **结到环境热阻** (RthJA)：最大值为 40°C/W
- **结到外壳热阻** (RthJC)：最大值为 0.4°C/W
#### 注意事项
- 超出“绝对最大额定值”列表中的参数可能会导致设备永久损坏。
- 这些是应力等级而非操作保证，超出操作部分规范所指示的任何条件下的设备功能不被保证。
- 长时间暴露于绝对最大额定条件下可能会影响设备的可靠性。
#### 结论
100N04-VB TO263 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，具备低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能等特点，适用于要求严苛的同步整流和电源供应器应用场合。通过对关键参数的详细分析，可以更好地理解这款 MOSFET 的优势及其适用范围，从而更准确地将其集成到各种电子系统设计中。
