049N06L-VB；Package：TO263；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：3V；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V；ID：150A；Technology：Trench；
### 049N06L-VB N-Channel 沟道 TO263 MOSFET 晶体管参数介绍与应用说明
#### 一、产品概述
**049N06L-VB** 是一款单通道 N-Channel 的 MOSFET 晶体管，采用 TO263 封装形式。该晶体管具有以下特点：
- **结构类型**：TrenchFET 功率 MOSFET 技术。
- **封装**：低热阻的 TO263 封装。
- **测试与认证**：100% 经过 Rg 和 UIS 测试。
该 MOSFET 的主要电气参数包括：
- **最大漏源电压 (VDS)**：60V。
- **最大栅源电压 (VGS)**：±20V。
- **阈值电压 (Vth)**：3V。
- **导通电阻 (RDS(on))**：在 VGS=10V 时为 4mΩ。
- **最大连续漏极电流 (ID)**：150A。
- **制造技术**：采用沟槽型 (Trench) 技术。
#### 二、绝对最大额定值
这些额定值代表了器件可以承受的最大工作条件，超过这些条件可能会导致永久性损坏。
- **漏源电压 (VDS)**：最大值为 60V。
- **栅源电压 (VGS)**：最大值为 ±20V，在环境温度为 25°C 时。
- **连续漏极电流 (ID)**：
- 在环境温度为 25°C 时，最大值为 65A。
- 在结温为 125°C 时，最大值为 65A。
- **连续源电流 (IS)**：最大值为 120A。
- **脉冲漏极电流 (ID)**：最大值为 350A，脉冲宽度 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%。
- **单脉冲雪崩电流 (IAS)**：最大值为 65A，当 IL=0.1mH。
- **单脉冲雪崩能量 (EAS)**：最大值为 211mJ。
- **最大功率耗散 (PD)**：
- 在环境温度为 25°C 时，最大值为 220W。
- 在结温为 125°C 时，最大值为 70W。
- **工作结温和存储温度范围 (TJ, TO)**：-55°C 至 +175°C。
- **热阻**：
- **结到壳 (Drain)** (RthJC)：0.65°C/W。
- **结到环境** (RthJA)：当安装在 1 英寸正方形 PCB (FR4 材料) 上时，最大值为 40°C/W。
#### 三、产品特性
- **低导通电阻**：在标准条件下 (VGS=10V)，RDS(on) 仅为 4mΩ，适合高电流应用。
- **高电流处理能力**：最大连续漏极电流可达 150A，适用于大电流开关应用。
- **紧凑封装**：采用 TO263 封装，具有良好的散热性能。
- **可靠的雪崩能力**：能够承受一定的单脉冲雪崩电流和能量。
#### 四、静态参数
- **漏源击穿电压 (VDS)**：最小值为 60V，在 VGS=0、ID=250μA 的条件下。
- **栅源阈值电压 (VGS(th))**：在 VDS=VGS、ID=250μA 的条件下，范围为 2.0V 至 4.0V。
- **栅源漏电流 (IGSS)**：在 VDS=0V、VGS=±20V 的条件下，最大值为 ±100nA。
- **零栅压漏电流 (IDSS)**：在 VGS=0V、VDS=60V 的条件下，最大值为 1μA；在 VGS=0V、VDS=60V、TJ=125°C 的条件下，最大值为 50μA；在 VGS=0V、VDS=60V、TJ=175°C 的条件下，最大值为 250μA。
- **导通状态漏电流 (ID(on))**：在 VGS=10V、VDS≥5V 的条件下，最小值为 120A。
- **导通状态漏源电阻 (RDS(on))**：在 VGS=10V、ID=30A 的条件下，典型值为 4mΩ；在 VGS=10V、ID=30A、TJ=125°C 的条件下，最大值为 12mΩ；在 VGS=10V、ID=30A、TJ=175°C 的条件下，最大值为 15mΩ。
- **前向跨导 (gfs)**：在 VDS=15V、ID=30A 的条件下，最小值为 94S。
#### 五、动态参数
- **输入电容 (Ciss)**：在 VGS=0V、VDS=25V、f=1MHz 的条件下，最大值为 7000pF。
- **输出电容 (Coss)**：最大值为 715pF。
- **反向转移电容 (Crss)**：最大值为 360pF。
- **总门极电荷 (Qg)**：在 VGS=10V、VDS=30V、ID=75A 的条件下，最大值为 145nC。
- **栅源电荷 (Qgs)**：最大值为 24nC。
- **栅漏电荷 (Qgd)**：最大值为 27nC。
- **栅极电阻 (Rg)**：在 f=1MHz 的条件下，范围为 0.31Ω 至 1.7Ω。
- **开启延迟时间 (t(d(on)))**：待定。
#### 六、应用领域
由于其出色的电气性能，049N06L-VB 可广泛应用于多种场合：
- **电源转换器**：适用于各种 DC/DC 和 AC/DC 转换器，提供高效的功率转换。
- **电机驱动**：适用于伺服电机、步进电机等的驱动控制，支持高速响应。
- **逆变器**：用于太阳能逆变器、UPS 逆变器等，实现稳定的电流输出。
- **音频放大器**：适用于大功率音频放大器中的开关应用，确保信号传输质量。
通过上述分析，可以看出 049N06L-VB 拥有优秀的电气特性和广泛的适用范围，是高电流、高性能电子设备的理想选择之一。
