### STM6960-VB MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 概述
STM6960-VB是一款双通道N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOP8封装形式，具有两个独立的N沟道MOSFET，每个通道的最大工作电压为60V，最大连续电流为6A，在10V栅源电压下导通电阻(RDS(ON))低至27mΩ。
#### 特性
- **TrenchFET®技术**：采用了先进的TrenchFET技术，该技术可以显著降低导通电阻，提高效率，并且减少开关损耗。
- **全面测试**：产品在出厂前进行了100%的Rg（栅极电阻）和UIS（非破坏性雪崩测试）测试，确保了产品的可靠性和一致性。
#### 产品摘要
- **工作电压(VDS)**：60V
- **导通电阻(RDS(on))**：在VGS=10V时，RDS(on)为27mΩ；在VGS=4.5V时，RDS(on)略有增加。
- **连续电流(ID)**：每个通道最大连续电流为7A。
#### 封装与引脚配置
- **封装形式**：SOP8
- **引脚配置**：双通道配置，每通道包括一个源极(S)，一个漏极(D)和一个栅极(G)。
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压(VDS)**：60V
- **栅源电压(VGS)**：±20V
- **连续漏极电流(ID)**：在TC=25°C时为7A，在TC=125°C时为4A
- **脉冲漏极电流(IDM)**：28A
- **单脉冲雪崩电流(IL)**：0.1mA
- **单脉冲雪崩能量(EAS)**：16.2mJ
- **最大耗散功率(PD)**：在TC=25°C时为4W，在TC=125°C时为1.3W
- **操作结温范围(TJ, TO)**：-55°C 至 +175°C
#### 热阻特性
- **结到环境热阻(RthJA)**：110°C/W
- **结到脚热阻(RthJF)**：34°C/W
#### 规格参数
- **静态参数**
- **漏源击穿电压(VDS)**：最小值为60V
- **栅源阈值电压(VGS(th))**：1.5V 至 2.5V
- **栅源漏电流(IGSS)**：≤±100nA
- **零栅压漏电流(IDSS)**：≤50μA (TJ=125°C)，≤150μA (TJ=175°C)
- **动态参数**
- **导通状态漏极电流(ID(on))**：当VDS≥VGS=10V且V=5V时，ID(on)≥20A
- **导通状态漏源电阻(RDS(on))**：当VGS=10V、ID=4.5A时，RDS(on)≤0.028Ω；在TJ=125°C时，RDS(on)≤0.066Ω；在TJ=175°C时，RDS(on)≤0.081Ω；当VGS=4.5V、ID=4A时，RDS(on)≤0.030Ω
- **正向跨导(fs)**：当VDS=15V，ID=4.5A时，fs≥15S
#### 应用领域
- **电源管理**：适用于各种电源转换应用，如DC/DC转换器、电源管理模块等。
- **驱动电路**：适用于电机驱动、LED驱动等场合。
- **保护电路**：可用于过流保护、短路保护等安全保护环节。
#### 使用注意事项
- **脉冲测试条件**：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%，确保在短时间内进行高电流测试不会对器件造成损害。
- **安装与散热**：建议安装在1" x 1" FR4材料的PCB上，以确保良好的散热性能。
- **绝对最大额定值**：避免超出规定的最大额定值运行，以免损坏器件。
通过以上介绍可以看出，STM6960-VB是一款高性能、可靠的双通道N沟道MOSFET，适用于多种电力电子应用场合。其采用的TrenchFET技术使其具备更低的导通电阻和更高的效率，是设计高效电源管理系统或驱动电路的理想选择。
