### ST3402S23RG-VB：一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
#### 概述
ST3402S23RG-VB是一款N-Channel场效应晶体管（MOSFET），采用SOT23封装，具有低导通电阻（RDS(ON)）特性，适用于多种电源管理应用，如DC/DC转换器等。本文将详细介绍这款产品的关键特性、应用领域以及主要规格参数。
#### 特性
- **无卤素设计**：根据IEC 61249-2-21定义，该器件为无卤素产品。
- **TrenchFET®技术**：采用先进的TrenchFET技术，实现更低的导通电阻和更高的效率。
- **严格的测试标准**：所有器件都经过100% Rg测试，确保性能一致性和可靠性。
- **符合RoHS指令**：产品满足欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求，环保安全。
#### 应用场景
- **DC/DC转换器**：适用于各种电源管理应用，如计算机、服务器电源供应、便携式设备充电器等。
- **电机控制**：可用于小型电机驱动电路，如风扇、泵等。
- **开关电源**：适合于高效率开关电源模块的设计。
#### 参数总结
- **最大漏源电压**（VDS）：30V
- **导通电阻**（RDS(ON)）：30mΩ @ VGS=10V，33mΩ @ VGS=4.5V
- **最大连续漏极电流**（ID）：6.5A（TC=25°C）
- **典型栅极电荷**（Qg）：4.5nC
#### 绝对最大额定值
绝对最大额定值是器件能承受的最大极限条件。超出这些条件可能会导致永久性损坏。具体包括：
- **漏源电压**（VDS）：30V
- **栅源电压**（VGS）：±20V
- **连续漏极电流**（ID）：
- 在TC=25°C时，ID=6.5A
- 在TC=70°C时，ID=6.0A
- **脉冲漏极电流**（IDM）：25A
- **最大功率耗散**（PD）：
- 在TC=25°C时，PD=1.7W
- 在TC=70°C时，PD=1.1W
#### 工作温度范围
- **工作结温**（TJ）：-55℃至150℃
- **存储温度范围**（Tstg）：-55℃至150℃
#### 热阻参数
- **最大结至环境热阻**（RthJA）：90°C/W（典型值），115°C/W（最大值）
- **最大结至脚热阻**（RthJF）：60°C/W（典型值），75°C/W（最大值）
#### 测试条件
- **静态参数**：
- **漏源击穿电压**（VDS）：在VGS=0V，ID=250μA条件下测量。
- **漏源电压温度系数**（ΔVDS/TJ）：在ID=250μA条件下测量，典型值为31mV/°C。
- **阈值电压温度系数**（ΔVGS(th)/TJ）：阈值电压随温度变化的特性。
### 总结
ST3402S23RG-VB是一款高性能的N-Channel场效应晶体管，其特点在于采用了先进的TrenchFET技术，具备低导通电阻、高效率以及良好的温度稳定性。该器件适用于各种电源管理和电机控制应用，并且符合严格的环保标准。通过了解其主要参数和技术特点，可以更好地评估它是否适用于特定的应用场景。
