SSG9962-VB一款2个N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
根据提供的文档信息,我们可以深入探讨SSG9962-VB这款双通道N-Channel沟道SOP8封装的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的特性和应用。 ### 产品概述 #### 基本特性 SSG9962-VB是一款采用TrenchFET®技术的双通道N-Channel MOSFET,具有以下特点: - **封装形式**:SOP8封装。 - **最大工作电压**:60V。 - **最大连续电流**:每个通道7A。 - **导通电阻(RDS(on))**:在VGS=10V时为27mΩ,在VGS=4.5V时为30mΩ。 - **阈值电压(Vth)**:1.5V。 #### 绝对最大额定值 这些额定值是设备在正常工作条件下可以承受的最大值。超过这些值可能会导致永久性损坏。 - **漏源电压(VDS)**:60V。 - **栅源电压(VGS)**:±20V。 - **连续漏极电流(ID)**:在25°C时为7A,在125°C时为4A。 - **脉冲漏极电流(IDM)**:28A。 - **单脉冲雪崩电流(IAS)**:0.1mA。 - **单脉冲雪崩能量(EAS)**:16.2mJ。 - **最大功耗(PD)**:在25°C时为4W,在125°C时为1.3W。 - **工作温度范围(TJ, TO)**:-55°C至+175°C。 ### 热阻特性 热阻特性是评估设备散热能力的重要指标。 - **结到环境热阻(RthJA)**:当安装在1英寸方形PCB上时,为110°C/W。 - **结到脚(漏极)热阻(RthJF)**:34°C/W。 ### 静态特性 静态特性是指在稳态条件下MOSFET的主要电气性能。 - **漏源击穿电压(VDS)**:在VGS=0V且ID=250μA时,最小值为60V。 - **栅源阈值电压(VGS(th))**:在VDS=VGS且ID=250μA时,范围为1.5V至2.5V。 - **栅源泄漏电流(IGSS)**:在VDS=0V且VGS=±20V时,最大值为±100nA。 - **零栅压漏极电流(IDSS)**:在VGS=0V且VDS=60V时,最大值分别为50μA(TJ=125°C)和150μA(TJ=175°C)。 ### 导通状态特性 导通状态特性描述了MOSFET处于导通状态时的关键参数。 - **导通状态漏极电流(ID(on))**:在VDS≥VGS=10V且V=5V时,最小值为20A。 - **漏源导通电阻(RDS(on))**:在VGS=10V、ID=4.5A时,典型值为27mΩ;在TJ=125°C时,最大值为66mΩ;在TJ=175°C时,最大值为81mΩ;在VGS=4.5V、ID=4A时,典型值为30mΩ。 - **正向跨导(fgs)**:在VDS=VGS时测量。 ### 应用场景 SSG9962-VB适用于多种电子设备和系统中,如电源管理、电机控制、汽车电子等领域。其低导通电阻和高可靠性使其成为设计高性能电路的理想选择。 SSG9962-VB是一款高性能的双通道N-Channel MOSFET,具有优良的电气性能和广泛的适用性。在设计时,应确保工作条件不超过其绝对最大额定值,并考虑到其热阻特性以实现良好的散热效果。
- 粉丝: 8058
- 资源: 2350
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助