### P7503BMG-VB：N-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 概述
P7503BMG-VB是一款N-Channel沟道的MOSFET晶体管，采用SOT23封装形式。该器件具有30V的最大工作电压、6.5A的最大连续电流能力以及低至30mΩ（@VGS=10V）的导通电阻（RDS(on)）。此外，其阈值电压（Vth）范围为1.2V到2.2V之间。该MOSFET适用于多种电子设备和系统中的开关或放大作用，特别是在直流转换器（DC/DC Converter）中发挥着重要作用。
#### 主要特点
1. **无卤素**：根据IEC 61249-2-21定义，该器件符合无卤素标准。
2. **TrenchFET® 功率MOSFET**：采用先进的Trench技术，提供更低的导通电阻，提高效率。
3. **100% Rg测试**：确保所有产品的栅极电阻都经过了严格的测试。
4. **符合RoHS指令2002/95/EC**：环保设计，不含铅和其他有害物质。
#### 应用领域
- **直流转换器（DC/DC Converter）**：适用于各种电源管理系统中的电压转换和稳压应用。
#### 产品概述
- **最大工作电压**（VDS）：30V
- **导通电阻**（RDS(on)）：
- @VGS=10V时，最小值为0.030Ω
- @VGS=4.5V时，最小值为0.033Ω
- **最大连续电流**（ID）：
- 当环境温度TA=25°C时，最大值为6.5A
- 当环境温度TA=70°C时，最大值为5.0A
- **栅极电荷（Qg）**（典型值）：4.5nC
#### 绝对最大额定值
绝对最大额定值是器件能够承受的最大应力水平，超过这些额定值可能会导致永久性损坏。这些额定值不代表正常工作条件下的规格。
- **漏源电压**（VDS）：30V
- **栅源电压**（VGS）：±20V
- **连续漏极电流**（ID）：
- 当结温TJ=150°C时，最大值为6.5A
- 当环境温度TA=25°C时，最大值为5.3A
- 当环境温度TA=70°C时，最大值为5.0A
- **脉冲漏极电流**（IDM）：25A
- **连续源漏二极管电流**（IS）：
- 当环境温度TA=25°C时，最大值为1.4A
- 当环境温度TA=25°C且为表面贴装时，最大值为0.9A
- **最大功率耗散**（PD）：
- 当环境温度TA=25°C时，最大值为1.7W
- 当环境温度TA=70°C时，最大值为1.1W
#### 工作温度范围
- 结温和存储温度范围（TJ, Tstg）：-55°C 至 150°C
#### 焊接建议
- 峰值温度：260°C
#### 热阻额定值
- 最大结至环境热阻（RthJA）：90°C/W（典型值），115°C/W（最大值）
- 最大结至脚（漏极）热阻（RthJF）：60°C/W（典型值），75°C/W（最大值）
#### 规格
- **静态漏源击穿电压**（VDS）：当VGS=0V且ID=250μA时，最小值为30V
- **VDS温度系数**（ΔVDS/TJ）：当ID=250μA时，最小值为31mV/°C
- **阈值电压温度系数**（ΔVGS(th)/TJ）：阈值电压随温度的变化率
P7503BMG-VB是一款性能优异的N-Channel沟道MOSFET，具有低导通电阻和高电流处理能力。其无卤素设计、TrenchFET技术的应用以及严格的测试标准，使其成为电源管理、DC/DC转换等领域的理想选择。
