MMFTN2302-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管

### MMFTN2302-VB：SOT23封装N-Channel场效应MOS管 #### 一、概述 MMFTN2302-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），其主要特点是工作电压范围宽广、导通电阻低以及可靠性高。该器件适用于多种应用场合，包括但不限于DC/DC转换器和便携式设备中的负载开关。 #### 二、技术特点 1. **环保无卤素**：符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准，适用于对环保有较高要求的应用领域。 2. **TrenchFET®功率MOSFET技术**：采用先进的TrenchFET技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），提高了效率并减少了功耗。 3. **全面测试**：100% Rg测试，确保了每个产品的电气性能达到高标准。 4. **RoHS合规**：符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求，不含铅和其他有害物质，符合现代电子产品对于环保的严格要求。 #### 三、应用领域 1. **DC/DC转换器**：由于其低导通电阻和宽工作电压范围的特点，非常适合用于各种DC/DC转换器设计中，提高电源转换效率。 2. **便携式设备负载开关**：在智能手机、平板电脑等便携式电子设备中作为负载开关使用，可以有效管理电流路径，实现节能效果。 #### 四、关键参数 - **最大工作电压**：20V（VDS） - **最大连续排水电流**：6A（ID）（当结温为150°C时） - **导通电阻（RDS(on)）**： - 24mΩ @ VGS=4.5V - 24mΩ @ VGS=8V - **阈值电压（Vth）**：0.45V ~ 1V - **门极电荷（Qg）**： - 28nC @ VGS=4.5V - 42nC @ VGS=8.8V - **最大功率耗散**：2.1W @ 结温70°C - **绝对最大评级**： - 排水-源电压（VDS）：20V - 门极-源电压（VGS）：±12V - 连续排水电流（ID）：6A（结温150°C） - 脉冲排水电流（IDM）：20A - 最大结温（TJ）：150°C - 存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ 150°C - 热阻（RthJA）：80°C/W ~ 100°C/W - 热阻（RthJC）：40°C/W ~ 60°C/W #### 五、产品总结 MMFTN2302-VB具有以下特点： - **低导通电阻**：在不同栅极电压下，导通电阻保持较低水平，有助于减少功率损耗。 - **宽工作电压范围**：20V的最大工作电压，适用于多种电压需求的应用场景。 - **高电流能力**：最大连续排水电流可达6A，在短时间脉冲情况下可达20A。 - **宽工作温度范围**：-55°C至150°C的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。 MMFTN2302-VB是一款性能优异、可靠性高的N-Channel场效应MOSFET，适用于多种电子设备和系统中，尤其适合于需要高效能、紧凑设计的应用场合。