ME4948-VB一款N+P-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
### ME4948-VB MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 ME4948-VB是一款N+P-Channel沟道的MOSFET晶体管,采用SOP8封装形式。它具备双通道设计,分别提供N-Channel和P-Channel两种类型的MOSFET,每种类型都能承受最高±60V的电压,并且在不同的驱动电压下具有较低的导通电阻(RDS(on))。该产品主要应用于CCFL逆变器等场合。 #### 特点 - **无卤素**:符合IEC 61249-2-21标准。 - **沟槽式结构**:采用了TrenchFET®技术,有效降低了开关损耗和导通电阻。 - **测试保障**:出厂前100%经过Rg(栅极电阻)和UIS(Unclamped Inductive Switching)测试。 #### 应用领域 - **CCFL逆变器**:适用于冷阴极荧光灯(CCFL)的驱动电路中。 #### 参数详情 ##### 产品摘要 - **最大电压(VDS)**: - N-Channel:60V - P-Channel:-60V - **导通电阻(RDS(on))**: - N-Channel: - VGS=10V时:28mΩ - VGS=20V时:51mΩ - P-Channel: - VGS=-10V时:28mΩ - VGS=-20V时:51mΩ - **最大电流(ID)**: - N-Channel:6.5A - P-Channel:-5A - **阈值电压(Vth)**:±1.9V - **栅极电荷(Qg)**: - N-Channel:5.36nC @ VGS=10V,4.7nC @ VGS=4.5V - P-Channel:4.98nC @ VGS=-10V,4.5nC @ VGS=-4.5V #### 绝对最大额定值 这些额定值为芯片所能承受的最大工作条件。超过这些数值可能会导致永久性损坏。 - **最大漏源电压(VD)**: - N-Channel:60V - P-Channel:-60V - **最大栅源电压(VG)**:±20V - **连续漏极电流(ID)**: - N-Channel:5.3A (TC=25°C) - P-Channel:-4.3A (TC=25°C) - **脉冲漏极电流(DM)**: - N-Channel:20A (10μs脉冲宽度) - P-Channel:-25A (10μs脉冲宽度) - **连续源极-漏极电流(IS)**: - N-Channel:2.6A (TC=25°C) - P-Channel:-2.8A (TC=25°C) - **脉冲源极-漏极电流(SM)**: - N-Channel:20A - P-Channel:-25A - **单脉冲雪崩电流(IL)**: - N-Channel:1115A (IL=0.1mA) - P-Channel:-1115A (IL=0.1mA) - **单脉冲雪崩能量(AS)**: - N-Channel:6.111mJ - P-Channel:-6.111mJ - **最大功率耗散(PD)**: - N-Channel:3.1W (TC=25°C) - P-Channel:3.4W (TC=25°C) - **工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**:-55°C至150°C - **热阻**: - 结到环境的热阻(RthJA):55°C/W (N-Channel),53°C/W (P-Channel) - 结到脚(漏极)的热阻(RthJF):33°C/W (N-Channel),30°C/W (P-Channel) #### 静态参数 - **漏源击穿电压(VDS)**: - N-Channel:60V (VGS=0V, ID=250µA) - P-Channel:-60V (VGS=0V, ID=-250µA) - **栅极阈值电压(VGS(th))**: - N-Channel:1.3V (VDS=VGS, ID=250µA) - P-Channel:-1.9V (VDS=VGS, ID=-250µA) - **栅极阈值电压温度系数(ΔVGS(th)/T)**: - N-Channel:-6V/°C (VDS=VGS, ID=250µA) - P-Channel:4V/°C (VDS=VGS, ID=-250µA) 通过以上详细的参数介绍,我们可以看出ME4948-VB在高压应用和需要高效能表现的场景中具有显著优势。其低导通电阻、高电压耐受能力以及良好的热性能使得这款MOSFET成为CCFL逆变器等领域的理想选择。
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