ME4948-VB一款N+P-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### ME4948-VB MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 ME4948-VB是一款N+P-Channel沟道的MOSFET晶体管，采用SOP8封装形式。它具备双通道设计，分别提供N-Channel和P-Channel两种类型的MOSFET，每种类型都能承受最高±60V的电压，并且在不同的驱动电压下具有较低的导通电阻(RDS(on))。该产品主要应用于CCFL逆变器等场合。 #### 特点 - **无卤素**：符合IEC 61249-2-21标准。 - **沟槽式结构**：采用了TrenchFET®技术，有效降低了开关损耗和导通电阻。 - **测试保障**：出厂前100%经过Rg（栅极电阻）和UIS（Unclamped Inductive Switching）测试。 #### 应用领域 - **CCFL逆变器**：适用于冷阴极荧光灯(CCFL)的驱动电路中。 #### 参数详情 ##### 产品摘要 - **最大电压(VDS)**： - N-Channel：60V - P-Channel：-60V - **导通电阻(RDS(on))**： - N-Channel： - VGS=10V时：28mΩ - VGS=20V时：51mΩ - P-Channel： - VGS=-10V时：28mΩ - VGS=-20V时：51mΩ - **最大电流(ID)**： - N-Channel：6.5A - P-Channel：-5A - **阈值电压(Vth)**：±1.9V - **栅极电荷(Qg)**： - N-Channel：5.36nC @ VGS=10V，4.7nC @ VGS=4.5V - P-Channel：4.98nC @ VGS=-10V，4.5nC @ VGS=-4.5V #### 绝对最大额定值 这些额定值为芯片所能承受的最大工作条件。超过这些数值可能会导致永久性损坏。 - **最大漏源电压(VD)**： - N-Channel：60V - P-Channel：-60V - **最大栅源电压(VG)**：±20V - **连续漏极电流(ID)**： - N-Channel：5.3A (TC=25°C) - P-Channel：-4.3A (TC=25°C) - **脉冲漏极电流(DM)**： - N-Channel：20A (10μs脉冲宽度) - P-Channel：-25A (10μs脉冲宽度) - **连续源极-漏极电流(IS)**： - N-Channel：2.6A (TC=25°C) - P-Channel：-2.8A (TC=25°C) - **脉冲源极-漏极电流(SM)**： - N-Channel：20A - P-Channel：-25A - **单脉冲雪崩电流(IL)**： - N-Channel：1115A (IL=0.1mA) - P-Channel：-1115A (IL=0.1mA) - **单脉冲雪崩能量(AS)**： - N-Channel：6.111mJ - P-Channel：-6.111mJ - **最大功率耗散(PD)**： - N-Channel：3.1W (TC=25°C) - P-Channel：3.4W (TC=25°C) - **工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**：-55°C至150°C - **热阻**： - 结到环境的热阻(RthJA)：55°C/W (N-Channel)，53°C/W (P-Channel) - 结到脚(漏极)的热阻(RthJF)：33°C/W (N-Channel)，30°C/W (P-Channel) #### 静态参数 - **漏源击穿电压(VDS)**： - N-Channel：60V (VGS=0V, ID=250µA) - P-Channel：-60V (VGS=0V, ID=-250µA) - **栅极阈值电压(VGS(th))**： - N-Channel：1.3V (VDS=VGS, ID=250µA) - P-Channel：-1.9V (VDS=VGS, ID=-250µA) - **栅极阈值电压温度系数(ΔVGS(th)/T)**： - N-Channel：-6V/°C (VDS=VGS, ID=250µA) - P-Channel：4V/°C (VDS=VGS, ID=-250µA) 通过以上详细的参数介绍，我们可以看出ME4948-VB在高压应用和需要高效能表现的场景中具有显著优势。其低导通电阻、高电压耐受能力以及良好的热性能使得这款MOSFET成为CCFL逆变器等领域的理想选择。