G2303-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
### G2303-VB SOT23封装P-Channel场效应MOS管关键知识点解析 #### 一、产品概述 **G2303-VB** 是一款采用SOT23封装的P-Channel场效应晶体管(MOSFET),其主要特点是具有低导通电阻和高可靠性。该MOSFET由VBsemi生产,适用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关以及直流转换器等应用。 #### 二、技术特点 1. **TrenchFET® 功率MOSFET技术**:该技术可以显著降低导通电阻(RDS(on)),提高效率,并减小封装尺寸。 2. **100% Rg 测试**:确保了每个MOSFET在出厂前都经过了栅极电阻测试,从而提高了产品的可靠性和一致性。 #### 三、关键参数 1. **最大工作电压**: - **Drain-Source 电压(VDS)**:最大为-30V,表明它可以承受的最大反向电压。 2. **导通电阻(RDS(on))**: - 当VGS=10V时,RDS(on)=47mΩ; - 当VGS=20V时,RDS(on)=47mΩ。 - 这表示在不同栅源电压下,器件处于导通状态时的阻抗。 3. **连续漏极电流(ID)**: - 在环境温度为25°C时,连续漏极电流为-5.6A; - 在环境温度为70°C时,连续漏极电流为-4.3A。 - 这些值代表了MOSFET在不同环境温度下能持续承载的最大电流。 4. **阈值电压(Vth)**: - Vth=-1V。 - 表示使MOSFET从截止状态进入导通状态所需的最小栅源电压。 5. **门极电荷(Qg)**: - 典型值为11.4nC。 - 用于评估开关过程中门极所需的电荷量。 6. **热性能**: - 最大结温为150°C。 - 结到壳的热阻(RthJA)典型值为75°C/W,最大值为100°C/W。 - 结到脚的热阻(RthJF)典型值为40°C/W,最大值为50°C/W。 #### 四、应用场景 1. **移动计算**: - **负载开关**:用于控制电池供电的负载电路,如LED背光或电机驱动等。 - **笔记本适配器开关**:作为电源路径管理的一部分,用于切换充电器和电池之间的连接。 - **DC/DC转换器**:作为高效DC/DC转换器的关键元件,用于调节输出电压并提供稳压功能。 2. **其他应用**: - 由于其高耐压和低导通电阻特性,G2303-VB还广泛应用于汽车电子、工业控制等领域。 #### 五、注意事项 1. **绝对最大额定值**:超出这些值可能会导致永久性损坏。例如,当环境温度达到150°C时,MOSFET可能无法正常工作。 2. **脉冲电流限制**:在脉冲宽度≤300µs的情况下,最大脉冲电流可达-18A。但需要注意的是,长时间暴露于这些条件下可能会影响器件的可靠性。 3. **温度系数**:VDS温度系数为-19mV/°C,这意味着随着温度升高,断态电压会略微下降。 4. **热管理**:为了确保良好的散热性能,建议在设计时考虑到适当的散热措施,比如增加散热片或采用导热胶等方法来提高散热效率。 #### 六、总结 G2303-VB是一款性能优异的P-Channel场效应MOSFET,通过采用先进的TrenchFET®技术,实现了较低的导通电阻和高可靠性。它适合于各种移动计算设备中的电源管理和转换应用,并且具备良好的热性能和宽泛的工作温度范围。对于设计工程师而言,在选择合适的MOSFET时,了解其关键参数和技术特性是非常重要的。
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