### ELM13407CA-VB：SOT23封装P-Channel场效应MOS管
#### 概述
ELM13407CA-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有低导通电阻、高可靠性等特点。该器件的最大工作电压为-30V，连续漏极电流可达-5.6A，在VGS=10V时，其导通电阻RDS(on)仅为47mΩ。此外，器件的工作温度范围宽广，能够适应各种环境条件。
#### 特性
- **TrenchFET® Power MOSFET技术**：采用先进的TrenchFET技术，显著降低了导通电阻，提高了效率。
- **全面的Rg测试**：确保每个产品都经过了严格的Rg（栅极电阻）测试，保证了一致性和可靠性。
#### 应用领域
- **移动计算**：适用于笔记本电脑的负载开关、适配器开关以及DC/DC转换器等应用场合。
- **电源管理**：在各种电源管理系统中作为关键元件使用，如电池充电控制、电源转换等。
- **汽车电子**：适用于汽车电子系统中的电源开关和保护电路。
#### 参数说明
##### 绝对最大额定值
| 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|-------------------------------------|-------|------|----|
| 漏极-源极电压 | VDS | -30 | V |
| 栅极-源极电压（正负） | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流（结温150°C） | ID | -5.6 | A |
| 脉冲漏极电流（时间≤100μs） | IDM | -18 | - |
- **结温与存储温度范围**：-55°C 至 150°C。
- **最大功耗**：在不同的环境温度下，最大功耗分别为2.5W（25°C）、1.6W（70°C）等。
##### 动态特性
| 参数 | 符号 | 典型值 | 单位 |
|-----------------------------------------|----------|------|-----|
| 输入电容（VGS=0V，f=1MHz） | Ciss | 11.4 | pF |
| 反向传输电容（VDS=VGS，f=1MHz） | Crss | - | - |
| 输出电容（VDS=VGS，ID=0A，f=1MHz） | Coss | - | - |
##### 静态特性
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|----------------------------------------|----------|------------------------------------|------|-----|
| 漏极-源极击穿电压 | VDS | VGS=0V，ID=-250μA | -30 | V |
| 漏极-源极电压温度系数 | ΔVDS/TJ | ID=-250μA | -19 | mV/°C |
| 门限电压 | VGS(th) | ID=-250μA | -1 | V |
#### 产品概览
- **工作电压**：最大-30V。
- **导通电阻**：在VGS=-10V时，RDS(on)典型值为0.046Ω；在VGS=-6V时，RDS(on)典型值为0.049Ω；在VGS=-4.5V时，RDS(on)典型值为0.054Ω。
- **最大功耗**：根据环境温度的不同，最大功耗从1.25W到2.5W不等。
- **热阻**：最大结至环境温度热阻Rth(JA)典型值为75°C/W，最大结至脚（漏极）热阻Rth(JF)典型值为40°C/W。
#### 结论
ELM13407CA-VB作为一款高性能的P-Channel MOSFET，具备良好的电气性能和广泛的适用性。它不仅能够在各种复杂的工作条件下稳定运行，而且通过采用先进的制造技术和严格的测试标准，确保了产品的可靠性和一致性。无论是用于移动计算设备还是汽车电子系统，ELM13407CA-VB都能提供卓越的性能表现。
