BSO612V-VB一款N+P-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
### BSO612V-VB — N+P-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 BSO612V-VB是一款采用SOP8封装的N+P-Channel沟道MOSFET晶体管。该器件具备±60V的工作电压范围、最大6.5/-5A的电流能力以及低至28/51mΩ的导通电阻(RDS(ON))。其阈值电压(Vth)为±1.9V,适合在多种电子设备中作为开关或放大器使用。 #### 特点 - **无卤素设计**:符合IEC 61249-2-21标准。 - **TrenchFET® Power MOSFET技术**:提供高效的功率转换性能。 - **全面测试**:100%进行Rg(栅极电阻)和UIS(Unclamped Inductive Switching)测试。 #### 应用领域 - **CCFL逆变器**:用于冷阴极荧光灯(CCFL)的电源逆变器。 #### 技术规格 - **工作电压(VDS)**:N-Channel为60V,P-Channel为-60V。 - **导通电阻(RDS(ON))**: - N-Channel:在VGS=10V时为28mΩ,在VGS=20V时为26mΩ。 - P-Channel:在VGS=-10V时为51mΩ,在VGS=-4.5V时为60mΩ。 - **阈值电压(VGS(th))**:±1.9V。 - **栅极电荷(Qg)**:N-Channel在VGS=10V时为5.3nC,在VGS=4.5V时为4.7nC;P-Channel在VGS=-10V时为4.98nC,在VGS=-4.5V时为4.5nC。 #### 绝对最大额定值 - **漏源电压(VDSS)**:±60V。 - **栅源电压(VGS)**:±20V。 - **连续漏极电流(ID)**: - N-Channel:在TC=25°C时为4A,在TC=70°C时为3A。 - P-Channel:在TC=25°C时为3A,在TC=70°C时为1.7A。 - **脉冲漏极电流(DM)**: - N-Channel:20A。 - P-Channel:25A。 - **源漏电流(IS)**: - N-Channel:2.6A。 - P-Channel:2.8A。 - **脉冲源漏电流(SM)**: - N-Channel:20A。 - P-Channel:25A。 - **单脉冲雪崩电流(IL)**: - N-Channel:1115A。 - P-Channel:同样为1115A。 - **单脉冲雪崩能量(AS)**: - N-Channel:6.111mJ。 - P-Channel:相同值为6.111mJ。 - **最大功耗(PD)**: - N-Channel:3.1W。 - P-Channel:3.4W。 - **工作结温(TJ)**:-55°C到150°C。 - **存储温度范围(Tstg)**:-55°C到150°C。 #### 热阻特性 - **结到环境热阻(RthJA)**: - N-Channel:55°C/W(典型值),62.5°C/W(最大值)。 - P-Channel:53°C/W(典型值),62.5°C/W(最大值)。 - **结到脚热阻(RthJF)**: - N-Channel:33°C/W(典型值),40°C/W(最大值)。 - P-Channel:30°C/W(典型值),37°C/W(最大值)。 #### 总结 BSO612V-VB是一款高性能的N+P-Channel沟道SOP8封装MOSFET,适用于需要高效率、大电流处理能力的应用场景,如CCFL逆变器等。其独特的TrenchFET® Power MOSFET技术以及严格的测试标准确保了器件的可靠性和耐用性。此外,该产品还采用了环保无卤素材料,符合现代电子产品对于环保的要求。
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