### BSO612V-VB — N+P-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 概述
BSO612V-VB是一款采用SOP8封装的N+P-Channel沟道MOSFET晶体管。该器件具备±60V的工作电压范围、最大6.5/-5A的电流能力以及低至28/51mΩ的导通电阻(RDS(ON))。其阈值电压(Vth)为±1.9V，适合在多种电子设备中作为开关或放大器使用。
#### 特点
- **无卤素设计**：符合IEC 61249-2-21标准。
- **TrenchFET® Power MOSFET技术**：提供高效的功率转换性能。
- **全面测试**：100%进行Rg（栅极电阻）和UIS（Unclamped Inductive Switching）测试。
#### 应用领域
- **CCFL逆变器**：用于冷阴极荧光灯(CCFL)的电源逆变器。
#### 技术规格
- **工作电压(VDS)**：N-Channel为60V，P-Channel为-60V。
- **导通电阻(RDS(ON))**：
- N-Channel：在VGS=10V时为28mΩ，在VGS=20V时为26mΩ。
- P-Channel：在VGS=-10V时为51mΩ，在VGS=-4.5V时为60mΩ。
- **阈值电压(VGS(th))**：±1.9V。
- **栅极电荷(Qg)**：N-Channel在VGS=10V时为5.3nC，在VGS=4.5V时为4.7nC；P-Channel在VGS=-10V时为4.98nC，在VGS=-4.5V时为4.5nC。
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压(VDSS)**：±60V。
- **栅源电压(VGS)**：±20V。
- **连续漏极电流(ID)**：
- N-Channel：在TC=25°C时为4A，在TC=70°C时为3A。
- P-Channel：在TC=25°C时为3A，在TC=70°C时为1.7A。
- **脉冲漏极电流(DM)**：
- N-Channel：20A。
- P-Channel：25A。
- **源漏电流(IS)**：
- N-Channel：2.6A。
- P-Channel：2.8A。
- **脉冲源漏电流(SM)**：
- N-Channel：20A。
- P-Channel：25A。
- **单脉冲雪崩电流(IL)**：
- N-Channel：1115A。
- P-Channel：同样为1115A。
- **单脉冲雪崩能量(AS)**：
- N-Channel：6.111mJ。
- P-Channel：相同值为6.111mJ。
- **最大功耗(PD)**：
- N-Channel：3.1W。
- P-Channel：3.4W。
- **工作结温(TJ)**：-55°C到150°C。
- **存储温度范围(Tstg)**：-55°C到150°C。
#### 热阻特性
- **结到环境热阻(RthJA)**：
- N-Channel：55°C/W（典型值），62.5°C/W（最大值）。
- P-Channel：53°C/W（典型值），62.5°C/W（最大值）。
- **结到脚热阻(RthJF)**：
- N-Channel：33°C/W（典型值），40°C/W（最大值）。
- P-Channel：30°C/W（典型值），37°C/W（最大值）。
#### 总结
BSO612V-VB是一款高性能的N+P-Channel沟道SOP8封装MOSFET，适用于需要高效率、大电流处理能力的应用场景，如CCFL逆变器等。其独特的TrenchFET® Power MOSFET技术以及严格的测试标准确保了器件的可靠性和耐用性。此外，该产品还采用了环保无卤素材料，符合现代电子产品对于环保的要求。
