### AM2328N-T1-PF-VB：SOT23封装N-Channel场效应MOS管
#### 概述
AM2328N-T1-PF-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。该产品主要应用于便携式设备中的DC/DC转换器和负载开关等场景。MOSFET是一种广泛使用的电子元件，因其低导通电阻、高效率和快速切换能力而受到青睐。
#### 特点
- **无卤素**：符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准。
- **TrenchFET® Power MOSFET技术**：采用先进的TrenchFET技术，有助于降低导通电阻(RDS(on))，提高效率。
- **100% Rg测试**：确保每个器件的栅极电阻都经过严格测试，保证了产品的一致性和可靠性。
- **RoHS合规**：满足RoHS指令2002/95/EC的要求，不含铅和其他有害物质。
#### 主要参数
- **最大工作电压(VDS)**：20V
- **最大连续漏极电流(ID)**：
- 在Tj=150°C时为6A
- 在TA=25°C时为5.15A
- 在TA=70°C时为4A
- **最大脉冲漏极电流(IDM)**：20A（TA=25°C）
- **导通电阻(RDS(on))**：
- 在VGS=4.5V时为28mΩ
- 在VGS=8V时为42mΩ
- **栅源电压阈值(Vth)**：0.45V至1V
- **栅极电荷(Qg)**：
- 在VGS=2.5V时典型值为8nC
- 在VGS=1.8V时为5.6nC
- **最大功率耗散(PD)**：
- 在TA=70°C时为2.1W
- 在TA=25°C时为1.3W
- **工作温度范围(TJ)**：-55°C至+150°C
- **热阻**：
- 最大结到环境热阻为100°C/W
- 最大结到脚(漏极)热阻为60°C/W
#### 应用领域
- **DC/DC转换器**：适用于各种电源管理电路，如笔记本电脑、服务器电源模块等。
- **负载开关**：用于控制便携式设备内部不同负载之间的电源通断，例如手机、平板电脑中的电池管理和充电管理电路。
#### 性能规格
在25°C的工作结温下，AM2328N-T1-PF-VB的主要静态参数如下：
- **漏源击穿电压(VDS)**：当VGS=0V且ID=250µA时，最小值未指定，典型值未给出，最大值为20V。
#### 绝对最大额定值
绝对最大额定值是器件能够承受的最大工作条件，超过这些条件可能会导致永久性损坏。具体包括：
- **漏源电压(VDS)**：20V
- **栅源电压(VGS)**：±12V
- **最大连续漏极电流(ID)**：
- 当TJ=150°C时为6A
- 当TA=25°C时为5.15A
- 当TA=70°C时为4A
- **最大脉冲漏极电流(IDM)**：20A（TA=25°C）
- **最大功率耗散(PD)**：
- 当TA=70°C时为2.1W
- 当TA=25°C时为1.3W
- **操作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**：-55°C至+150°C
- **焊接建议**：峰值温度不超过260°C
#### 小结
AM2328N-T1-PF-VB是一款高性能、低功耗的N-Channel MOSFET，特别适合于需要高效能量转换的应用场合。通过采用先进的TrenchFET技术，它能够在保证高效率的同时实现低导通电阻，从而降低能耗并提高整体系统的性能。此外，其无卤素的设计和RoHS合规性使其成为环保意识强的制造商的理想选择。
