### 2SJ345-VB SOT23封装P-Channel场效应MOS管详细介绍
#### 概述
2SJ345-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），由VBsemi生产。此MOSFET具有多种特点和优点，包括低导通电阻、快速开关速度以及适用于高侧开关应用等。
#### 主要特性
- **无卤素**：符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准。
- **TrenchFET®技术**：该技术可以提高MOSFET的性能，减少导通电阻和开关损耗。
- **高侧开关能力**：适合用于高侧开关电路中。
- **低导通电阻**：在VGS为10V时，导通电阻为3Ω。
- **低阈值电压**：典型阈值电压约为-2V。
- **快速开关速度**：典型开关速度为20ns。
- **低输入电容**：典型值为20pF。
- **RoHS合规性**：符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求。
#### 参数概述
根据数据表，2SJ345-VB的主要参数如下：
- **最大额定值**：
- **漏源电压(VDS)**：-60V
- **栅源电压(VGS)**：±20V
- **连续漏极电流(ID)**：在环境温度为25℃时，最大连续漏极电流为-500mA；在100℃时为-350mA。
- **脉冲漏极电流(IDM)**：在环境温度为25℃时，最大脉冲漏极电流为-1500mA。
- **功耗(PD)**：在环境温度为100℃时，最大功耗为240mW。
- **热阻(RthJA)**：最大值为350°C/W。
- **工作温度范围(TJ)**：-55℃至150℃。
- **静态参数**：
- **漏源击穿电压(VDS)**：当栅源电压VGS为0V，漏极电流ID为-10μA时，VDS最小值为-60V。
- **阈值电压(VGS(th))**：当VDS等于VGS且漏极电流ID为-250μA时，VGS(th)的典型值为-1V至-3V。
- **栅体泄漏电流(IGSS)**：当VDS为0V时，在不同栅源电压下，栅体泄漏电流的最大值分别为±10μA（VGS为±10V）、±200μA（VGS为±10V，TJ为85℃）和±500μA（VGS为±5V）。
- **零栅压漏极电流(IDSS)**：当VDS为-60V且VGS为0V时，IDSS的最大值为-25μA。
#### 使用注意事项
- 超出“绝对最大额定值”的应力可能会导致设备永久损坏。这些是应力额定值，并不意味着设备在超出规格的操作部分中能够正常工作。
- 在绝对最大额定条件下的长时间暴露可能会影响设备的可靠性。
#### 封装与尺寸
2SJ345-VB采用SOT23封装，这是一种小型表面贴装技术封装，非常适合高密度安装。
#### 应用场景
由于其特性，2SJ345-VB非常适合用于各种电子设备中，如电源管理电路、电机控制、LED驱动器、电池管理系统以及其他需要高性能P-Channel MOSFET的应用场合。
2SJ345-VB是一款具有优异性能的P-Channel MOSFET，其独特的设计使其能够在高侧开关应用中表现出色，同时满足严格的环境标准。对于那些需要高效、可靠且符合环保要求的电子系统设计人员来说，这款MOSFET是一个理想的选择。
