STD3NK50ZT4-VB场效应管一款N沟道TO252封装的晶体管

【STD3NK50ZT4-VB场效应管】是一款N沟道的功率MOSFET，采用TO-252封装，适用于各种需要高效能、低损耗的电子设备中。这款晶体管的设计特点包括低门极电荷（Qg），这使得驱动需求简化，同时具备优良的栅极耐受性、雪崩耐量和动态dV/dt抗扰度，确保了在高速开关应用中的稳定性和耐用性。此外，该产品经过充分的特性表征，具有确定的电容值和雪崩电压及电流，符合RoHS指令2002/95/EC的环保要求。 在电气参数方面，该MOSFET的最大漏源电压（VDS）为650V，当栅源电压VGS为10V时，漏源导通电阻（RDS(on)）低至2.1Ω，这意味着在满载工作时，其内部电阻较小，可以提供低损耗的电流传输。门极电荷Qg的最大值为48nC，门极存储电荷Qgs为12nC，门极-漏极电荷Qgd为19nC，这些参数直接影响MOSFET的开关速度和效率。在连续漏极电流条件下，当环境温度为25°C且VGS为10V时，ID的最大值为3.2A，而在100°C环境下，ID的最大值限制在4.2A。脉冲漏极电流IDM可达到18A，但必须确保不超过最大结温限制。 对于瞬态性能，单脉冲雪崩能量EAS的最大值为325mJ，重复雪崩电流IAR可达4A，重复雪崩能量EAR最大为6mJ。最大功率耗散PD在25°C时为60W，随着温度升高，功率耗散会线性下降。峰值二极管恢复速度dV/dt限制在2.8V/ns，确保了快速开关过程中的稳定性。 热特性方面，最大结到环境的热阻RthJA为-65°C/W，而结到壳体（漏极）的热阻RthJC为-2.1°C/W。这些数值影响了MOSFET在高负载条件下的冷却效率。此外，该器件的工作和储存温度范围为-55°C至+150°C。 安装时，推荐使用6-32或M3螺丝，扭力不超过10lbf·in（1.1N·m），以确保良好的机械固定和热传导。VBsemi公司提供了服务热线400-655-8788，以便用户获取更多关于STD3NK50ZT4-VB的技术支持和信息。 STD3NK50ZT4-VB是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET，适用于需要高开关速度和低损耗的应用，如电源管理、电机控制、DC-DC转换器等。其出色的电气特性和热管理特性确保了在各种工作环境下的可靠性和效率。