NTD4860NT4G-VB是一种N沟道MOSFET，采用TO-252封装，适用于各种应用，包括OR-ing（并联开关）和服务器电源管理，以及DC/DC转换器。这款MOSFET以其低电阻、高效能和符合RoHS指令2011/65/EU的环保特性而设计。
关键特性包括TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，通过在MOSFET的通道中创建深沟槽，从而提高性能，降低导通电阻（RDS(on)），同时保持良好的热特性。这款MOSFET在VGS = 10 V时的典型RDS(on)为0.005 Ω，而在VGS = 4.5 V时的典型值为0.006 Ω，这使得它在高电流低损耗应用中表现出色。
NTD4860NT4G-VB的额定参数包括最大漏源电压（VDS）为30 V，连续漏极电流（ID）在不同温度下有所不同，如在结温TJ = 25 °C时为25.8 A，而在TJ = 70 °C时为22 A。此外，脉冲漏极电流IDM高达250 A，这意味着它能够在短时间内处理大电流脉冲。该器件的雪崩能量EAS为94.8 mJ，表明其在短路保护方面有良好的耐受能力。
MOSFET的热特性也很重要，NTD4860NT4G-VB的最大结壳热阻RthJC在0.5到0.668°C/W之间，而最大结到环境的热阻RthJA为324°C/W。这意味着在没有额外散热措施的情况下，器件能够有效地散发热量，但当工作条件苛刻时，可能需要考虑散热解决方案以确保稳定运行。
绝对最大额定值是设计者必须遵守的限制，例如，门极源电压（VGS）不应超过+20 V或低于-20 V。器件的持续源漏二极管电流IS在25 °C和70 °C下的值分别为90 A和3.13 A，分别带有相应的结温和功率限制。
总结一下，NTD4860NT4G-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适合需要低RDS(on)、高电流能力和良好热管理的电力电子应用。设计者在使用这款MOSFET时，应考虑到其规格、工作条件和热管理，以确保器件的可靠性和系统性能。这款MOSFET由VBsemi公司提供，并提供技术支持和售后服务。
