STD2NB60T4-VB一种N沟道TO252封装MOS管

【STD2NB60T4-VB MOSFET】是一种N沟道的功率MOSFET，采用TO252封装，适用于各种电源管理、开关电源、电机驱动等应用。这款MOSFET的主要特点包括低门极电荷（Qg），这使得驱动电路设计简单，同时具有优良的栅极耐受性、雪崩耐受能力和动态dV/dt能力，确保了器件在恶劣条件下的稳定性。 在电气特性方面，该MOSFET的最大漏源电压（VDS）为650V，这意味着它能够承受高达650伏的电压而不损坏。在10伏的栅源电压下，其开启时的漏源电阻（RDS(on)）仅为2.1欧姆，这使得在导通状态下，电流流动的压降较低，从而提高了效率。门极电荷（Qg）最大值为48纳库仑，这是决定开关速度的关键参数，低Qg意味着更快的开关速度和更低的功耗。 此外，该MOSFET的连续漏源电流（ID）在25℃时可达到3.2A，而在100℃时会线性衰减到4.2A。脉冲漏源电流（IDM）的最大值为18A，但必须确保脉冲宽度受到结温限制，以防止过热。单脉冲雪崩能量（EAS）为325毫焦，而重复雪崩电流（IAR）可以达到4A，重复雪崩能量（EAR）为6毫焦。 在热性能方面，最大结壳热阻（RthJC）为2.1°C/W，表明每瓦功耗会产生2.1°C的温升，而最大结温范围为-55到+150℃。最大功率耗散（PD）在25℃环境下为60W，而随着温度升高，功率耗散会按0.48W/°C的比例线性下降。 安装建议中提到，该器件符合RoHS指令2002/95/EC，确保了环保要求。引脚焊接峰值温度推荐不超过300℃，且安装扭力应为6-32或M3螺丝的10lbf·in（1.1N·m）。 STD2NB60T4-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，其低门极电荷、出色的耐受性和高效能使其在高功率应用中表现出色。对于设计者来说，它的特性使得在电路设计中易于控制和优化，同时其耐热和抗冲击能力保证了在各种工作环境下的可靠性。