MMBF0201NLT1G-VB-MOSFET产品应用与参数解析

**MMBF0201NLT1G MOSFET详解** MMBF0201NLT1G是一款N沟道TrenchFET功率MOSFET，设计用于低电压、高效率的应用，如DC/DC转换器和便携式设备的负载开关。以下是这款MOSFET的关键特性和参数： ### 特性 1. **无卤素** - 遵循IEC 61249-2-21定义，符合环保标准。 2. **TrenchFET技术** - 采用先进的沟槽型结构，提供更小的尺寸和更低的导通电阻。 3. **100%栅极电阻测试** - 确保了良好的一致性与可靠性。 4. **RoHS兼容** - 符合欧盟RoHS指令2002/95/EC。 ### 参数 - **额定电压（VDS）** - 20V，意味着在源漏之间可以承受的最大电压。 - **导通电阻（RDS(on)）** - 在不同栅极电压下，RDS(on)的值分别为24mΩ@4.5V和33mΩ@2.5V。较低的RDS(on)表示器件在导通状态下的功率损耗较小。 - **连续漏电流（ID）** - 最大额定值为6A，在不同温度下有所不同。 - **等效栅极电荷（Qg）** - eQg为8.8nC，是控制开关速度的一个重要参数，低Qg意味着更快的开关速度。 - **阈值电压（Vth）** - 范围在0.45~1V，影响MOSFET的开启和关闭。 ### 应用 - **DC/DC转换器** - 用于电源管理，调节电压输出。 - **便携式设备的负载开关** - 控制电池供电的电子设备的电源。 ### 绝对最大额定值 - **漏源电压（VDS）** - 20V。 - **栅源电压（VGS）** - ±12V。 - **连续漏电流（ID）** - 随着温度的不同，最大值在6A至5.1A之间变化。 - **脉冲漏电流（IDM）** - 20A，短暂脉冲下。 - **源漏二极管电流（IS）** - 在25°C时最大为1.75A，随着温度升高会降低。 ### 热性能 - **最大结壳热阻（RthJA）** - 在5秒脉冲下，典型值为80°C/W，最大值为100°C/W，表明器件在散热方面的性能。 - **最大结脚热阻（RthJF）** - 在稳态下，最大值为60°C/W。 ### 注意事项 - **脉冲测试条件** - 脉宽不超过300μs，占空比不大于2%。 - **设计保证** - 部分参数（如RDS(on)）由设计保证，无需生产测试。 - **应力警告** - 超出绝对最大额定值的应力可能会导致永久损坏，仅作为应力评级，不保证在这些条件下功能操作。 MMBF0201NLT1G是一款适用于低电压、高效能应用的MOSFET，其特点在于低导通电阻和快速开关性能，适用于需要精细电源管理和高效能的现代电子设备。其封装为SOT-23，易于表面安装，并且满足严格的环保和可靠性标准。