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185N55F3-VB TO263一款N-Channel沟道TO263封装的场效应MOS管
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2024-07-29
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185N55F3-VB TO263;Package:TO263;Configuration:Single-N-Channel;VDS:60V;VGS:20(±V);Vth:3V;RDS(ON)=12mΩ@VGS=4.5V;RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V;ID:210A;Technology:Trench;
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VBsemi_MOS
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