150N10F7-VB；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：100V；VGS：20（±V）；Vth：3V；RDS(ON)=3.7mΩ@VGS=10V；ID：120A；Technology：Trench；
### 150N10F7-VB：N-Channel TO220F 封装 MOSFET
#### 概述
150N10F7-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用标准 TO220F 封装形式。该器件采用先进的沟槽栅技术（TrenchFET®），旨在提供出色的电气性能和散热特性。此MOSFET设计用于高电流和快速开关应用，在电源转换、电机控制和其他需要高效能转换的应用中表现出色。
#### 特性与优势
- **TrenchFET® 技术**：这种技术显著降低了导通电阻 (RDS(ON))，从而减少了导通损耗，提高了效率。
- **低热阻封装**：TO220F 封装确保了良好的散热性能，有助于提高功率密度并简化散热器的设计。
- **100% 测试**：每个器件均经过栅极电阻 (Rg) 和非破坏性安全工作区 (UIS) 的测试，确保了可靠性和一致性。
- **广泛的温度范围**：工作结温范围为 -55°C 至 +175°C，适用于各种环境条件下的应用。
#### 规格概览
- **额定电压** (VDS)：100V
- **导通电阻** (RDS(ON))：在 VGS=10V 时为 3.7mΩ
- **最大连续电流** (ID)：120A
- **配置**：单通道 N-Channel MOSFET
#### 绝对最大额定值
- **最大额定值**：
- **漏源电压** (VDS)：100V
- **栅源电压** (VGS)：±20V
- **连续漏极电流** (ID)：120A @ TJ=125°C
- **连续源极电流** (IS)：120A (二极管导电)
- **脉冲漏极电流** (IDM)：480A
- **单脉冲雪崩电流** (IL)：0.1mA
- **单脉冲雪崩能量** (EAS)：266mJ @ TJ=25°C
- **最大功耗** (PD)：84W @ TJ=125°C
- **操作结温和存储温度范围** (TJ, Tstg)：-55°C 至 +175°C
#### 热阻
- **结到环境热阻** (RthJA)：40°C/W (安装于 1" 平方 PCB 上，FR-4 材料)
- **结到壳热阻** (RthJC)：0.6°C/W (独立于工作温度)
#### 规格参数 (TC = 25°C 除非另有说明)
- **静态参数**
- **漏源击穿电压** (VDS)：VGS = 0V, ID = 250μA, 最小值 100V
- **栅源阈值电压** (VGS(th))：VDS = VGS, ID = 250μA, 范围 2.5V 至 3.5V
- **栅源漏电流** (IGSS)：VDS = 0V, VGS = ±20V, 最大值 ±100nA
- **零栅压漏电流** (IDSS)：VGS = 0V, VDS = 100V, 最大值 1mA
#### 应用领域
- **电源转换**：用于DC-DC转换器、开关电源等，提供高效能的功率调节。
- **电机控制**：适用于驱动直流电机或步进电机，支持高速开关操作。
- **电池管理系统**：作为电池充电和放电路径中的开关元件，实现能量的有效管理。
- **汽车电子**：适用于各种车载电子系统，如引擎控制系统、车载充电器等。
- **工业自动化**：用于控制电路、传感器接口等，实现精确的信号处理和控制。
150N10F7-VB 作为一款高性能的 N-Channel MOSFET，其先进的技术和卓越的电气特性使其成为许多高功率应用的理想选择。无论是对于需要高效率、低损耗的电源转换系统，还是要求高速响应和稳定性的电机控制应用，这款 MOSFET 都能够提供可靠的支持。
