13N50H-VB TO220；Package：TO220;Configuration：Single-N-Channel;VDS：650V;VGS：30（±V）;Vth：3.5V;RDS(ON)=420mΩ@VGS=10V；ID：11A;Technology：SJ_Multi-EPI;
### 13N50H-VB TO220: N-Channel沟道TO220封装MOS管概述
#### 产品特性
13N50H-VB TO220是一种N-Channel沟道的功率MOSFET，采用TO220封装形式。该器件具有以下显著特点：
- **低Ron x Qg乘积**：低的导通电阻（Ron）与栅极电荷（Qg）的乘积，有助于减少开关损耗。
- **低输入电容(Ciss)**：降低了开关损耗，改善了高频性能。
- **超低栅极电荷(Qg)**：减少了开关时间，提升了效率。
- **具备雪崩能量评级(UIS)**：能够承受意外的过电流情况。
#### 主要应用领域
- **服务器和电信电源供应器**：用于高效率、高可靠性的电源转换。
- **开关模式电源(SMPS)**：广泛应用于各种电子设备中的电源模块。
- **功率因数校正(PFC)电源**：改善交流输入电流波形，提高系统整体效率。
- **照明系统**：
- 高强度放电灯(HID)
- 荧光灯镇流器
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压(VDS)**：650V
- **栅源电压(VGS)**：±30V
- **连续漏极电流(ID)**：在特定条件下的最大值为11A
- **脉冲漏极电流(IDM)**：9.7A
- **单脉冲雪崩能量(EAS)**：132mJ
- **最大功率耗散(PD)**：83W
#### 动态参数
- **导通电阻(RDS(ON))**：在VGS=10V时，RDS(ON)的最大值为420mΩ。
- **栅极电荷(Qg)**：最大值为38nC
- **栅-源电荷(Qgs)**：最大值为4nC
- **漏-栅电荷(Qgd)**：最大值为4.2nC
#### 工作温度范围
- **操作结温(TJ)**：-55℃至+150℃
- **存储温度范围(Tstg)**：-55℃至+150℃
#### 热阻
- **结到环境热阻(RthJA)**：最大值为0.6°C/W
- **结到壳热阻(RthJC)**：最大值为0.6°C/W
#### 封装及引脚定义
- **封装类型**：TO220
- **引脚定义**：
- **G**：栅极
- **D**：漏极
- **S**：源极
### 技术细节分析
#### 特性详解
1. **低Ron x Qg乘积**：这一特性使得13N50H-VB TO220能够在开关应用中表现出色，尤其是对于那些需要快速开关且希望降低功耗的应用场合。低的导通电阻意味着在导通状态下器件的发热较小，而低的栅极电荷则意味着更快的开关速度，从而减少开关损耗。
2. **低输入电容(Ciss)**：输入电容的减小有利于提升开关频率，这对于需要高频操作的电源转换器来说至关重要。
3. **超低栅极电荷(Qg)**：降低了开关时间，进而提高了整体效率，尤其是在高速开关应用中表现突出。
4. **雪崩能量评级**：确保了器件能够在突发的过电流情况下正常工作，提高了系统的可靠性。
#### 应用实例
- **服务器电源**：服务器通常需要高效率且稳定的电源供应。13N50H-VB TO220因其低损耗特性而成为这类应用的理想选择。
- **照明系统**：对于HID灯或荧光灯镇流器等应用而言，MOSFET需要承受较高的电压和电流，13N50H-VB TO220的高耐压能力和良好的热性能使其成为理想之选。
### 结论
13N50H-VB TO220是一种高性能的N-Channel功率MOSFET，适用于需要高效、稳定和可靠电源转换的各种应用场景。其独特的设计和优化的参数使其在服务器电源、SMPS、PFC电源以及照明系统等领域展现出优异的性能。通过采用先进的Super Junction技术，该器件不仅提供了出色的电气特性，还有效降低了整体系统成本，成为了现代电源设计不可或缺的一部分。
