08N50C3-VB TO252；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V；ID：9A；Technology：SJ_Multi-EPI；
### 08N50C3-VB TO252 N-Channel MOSFET 参数介绍与应用说明
#### 概述
08N50C3-VB是一款高性能的N-Channel沟道功率MOSFET，采用TO252封装形式。这款MOSFET在设计时特别考虑了降低开关损耗和导通损耗，适用于高效率的电源转换系统。它具有较低的栅极电荷(Qg)、低输入电容(Ciss)等特点，能够有效减少开关过程中的能量损失，提高系统的整体效率。
#### 主要特性
- **低功耗特性**：低Ron×Qg值，即导通电阻与栅极电荷的乘积，意味着在导通状态下的功耗较低。
- **低输入电容**：低Ciss值有助于减小开关过程中的能量损失，尤其适合高频操作。
- **减少开关与导通损耗**：通过优化设计减少能量损耗，提高电源转换效率。
- **超低栅极电荷**：Qg值越低，开关速度越快，有助于进一步提高效率。
- **具备雪崩能量等级**：支持一定的雪崩能量，可在一定程度上保护器件免受过电压冲击。
#### 参数详情
- **封装**：TO252
- **配置**：单个N-Channel
- **最大漏源电压(VDS)**：650V
- **最大栅源电压(VGS)**：±30V
- **阈值电压(Vth)**：3.5V
- **导通电阻(RDS(on))**：500mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流(ID)**：9A
- **技术**：SJ_Multi-EPI (Super Junction Multi-Epitaxial)
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压(VDS)**：650V
- **栅源电压(VGS)**：±30V
- **连续漏极电流(ID)**：9A (TJ=150°C)
- **脉冲漏极电流(IDM)**：取决于最大结温
- **线性降额因子**：W/°C
- **单脉冲雪崩能量(EAS)**：具体数值未提供
- **最大功率耗散(PD)**：具体数值未提供
- **工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**：-55°C至+150°C
- **漏源电压斜率(dV/dt)**：具体数值未提供
- **反向二极管dV/dt**：具体数值未提供
- **焊接推荐峰值温度**：300°C (持续时间10秒)
#### 静态参数
- **漏源击穿电压(VDS)**：最小值为600V，在VGS=0V，ID=250μA条件下测试
#### 热阻参数
- **最大结到环境热阻(RthJA)**：3°C/W
- **最大结到壳热阻(RthJC)**：0.6°C/W
#### 应用领域
- **服务器和电信电源供应器**
- 用于提供稳定可靠的电力供应。
- **开关模式电源(SMPS)**
- 在各种电子设备中广泛使用，如计算机电源适配器、电视机等。
- **功率因数校正电源(PFC)**
- 提高电源效率，减少电网污染。
- **照明**
- **高强度放电灯(HID)**
- 用于户外照明、汽车前照灯等。
- **荧光镇流器照明**
- 适用于办公室、商场等室内场所。
#### 结论
08N50C3-VB TO252是一款性能优秀的N-Channel MOSFET，特别适用于需要高效率和高可靠性的电源转换应用。其独特的设计使得在降低开关损耗和导通损耗方面表现出色，是构建高效电源系统的理想选择。无论是服务器电源、电信设备还是LED照明等领域，都能发挥重要作用。
