05N03LA-VB TO252一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
05N03LA-VB TO252;Package:TO252;Configuration:Single-N-Channel;VDS:20V;VGS:20(±V);Vth:0.5~1.5V;RDS(ON)=6mΩ@VGS=2.5V;RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=4.5V;ID:100A;Technology:Trench; ### 05N03LA-VB TO252 N-Channel MOSFET 晶体管参数介绍与应用说明 #### 产品概述 05N03LA-VB TO252 是一款采用 TO252 封装的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件基于先进的沟槽技术(TrenchFET),具有低导通电阻、高电流处理能力和优秀的热性能等特点,适用于各种高性能电源转换应用。 #### 主要特性 - **最大结温**:175°C - **工作温度范围**:-55°C 至 +175°C - **静态击穿电压**:20V - **导通电阻**:在 VGS=4.5V 时,RDS(ON)=4.5mΩ;在 VGS=2.5V 时,RDS(ON)=6mΩ - **连续漏极电流**:在环境温度为 25°C 时,ID=100A;在环境温度为 100°C 时,ID=80A - **脉冲漏极电流**:IDM=200A - **最大功耗**:在环境温度为 25°C 时,PD=71W;在环境温度为 25°C 且表面安装于 1"×1" FR4 板上时,PD=8.3W - **热阻**:Junction-to-Ambient 最大值为 50°C/W;Junction-to-Case 最大值为 2.1°C/W #### 封装与结构 - **封装类型**:TO252 - **配置**:单个 N-Channel MOSFET - **引脚排列**:Drain 连接到散热片 - **顶视图**:从顶部看,可以看到 S(源极)、G(栅极)、D(漏极)的排列方式 #### 绝对最大额定值 - **漏极-源极电压**:VDS 最大值为 20V - **栅极-源极电压**:VGS 最大值为 ±15V - **连续漏极电流**:在环境温度为 25°C 时,ID 最大值为 100A;在环境温度为 100°C 时,ID 最大值为 80A - **脉冲漏极电流**:IDM 最大值为 200A - **连续源极电流**:IS 最大值为 65A - **最大功率损耗**:在环境温度为 25°C 时,PD 最大值为 71W - **最大功率损耗**:在环境温度为 25°C 且表面安装于 1"×1" FR4 板上时,PD 最大值为 8.3W - **工作结温和存储温度范围**:TJ, Tstg 的范围为 -55°C 至 +175°C - **热阻**:Junction-to-Ambient 的典型值为 40°C/W,最大值为 50°C/W;Junction-to-Case 的典型值为 1.75°C/W,最大值为 2.1°C/W #### 静态参数 - **漏极-源极击穿电压**:V(BR)DSS 在 VGS=0V,ID=250μA 时,最小值为 20V - **栅极阈值电压**:VGS(th) 在 VDS=VGS,ID=250μA 时,最小值为 0.5V - **栅-体泄漏电流**:IGSS 在 VDS=0V,VGS=±12V 时,最大值为 -100nA - **零栅压漏极电流**:IDSS 在 VDS=20V,VGS=0V 时,最大值为 1μA;在 VDS=20V,VGS=0V,TJ=125°C 时,最大值为 50μA - **导通状态漏极电流**:ID(on) 在 VDS=5V,VGS=4.5V 时,最大值为 100A - **漏极-源极导通电阻**:rDS(on) 在 VGS=4.5V,ID=20A,TJ=125°C 时,最大值为 0.0055Ω;在 VGS=2.5V,ID=20A 时,最大值为 0.006Ω - **正向跨导**:gfs 在 VDS=5V,ID=40A 时,最小值为 20S #### 动态参数 - **输入电容**:Ciss 最大值为 60pF - **输出电容**:Coss 在 VGS=0V,VDS=20V,f=1MHz 时,最大值为 730pF - **反向转移电容**:Crss 最大值为 375pF - **总栅极电荷**:Qg 最大值为 35nC - **栅极-源极电荷**:Qgs 在 VDS=10V,VGS=4.5V,ID=40A 时,最大值为 5nC - **栅极-漏极电荷**:Qgd 最大值为 7nC - **栅极电阻**:Rg 最大值为 13.7Ω - **开启延时时间**:ctd(on) 最大值为 35ns - **上升时间**:ctr 最大值为 20ns #### 应用领域 - **电源管理**:用于开关电源、稳压器等电源转换系统中的关键元件。 - **电机控制**:适用于伺服电机、步进电机等各类电机驱动电路。 - **汽车电子**:广泛应用于汽车电子系统中的电源管理和驱动应用。 - **工业自动化**:在各种工业控制系统中作为开关元件或放大器使用。 05N03LA-VB TO252 MOSFET 凭借其出色的电气特性和紧凑的封装设计,在多种电子设备中都有着广泛的应用前景。对于需要高性能、高效率及可靠性的应用来说,这款 MOSFET 是一个理想的选择。
- 粉丝: 8276
- 资源: 2693
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助
最新资源
- 2_1113重卡电动化创新聚焦日-录音转文字.docx
- “互联网+政务服务”整体建设方案 .docx
- 基于SSH的校园管理系统
- 精选微信小程序源码:面包旅行小程序(旅游类小清新版本)小程序(含源码+源码导入视频教程&文档教程,亲测可用)
- ArcGIS Pro SKD - ADGeoDatabase.daml
- C# winform自定义图片控件.zip,拖拽移动,滚轮缩放
- 基于python的dlib库的人脸识别实现
- ArcGIS Pro SDK - ADCore.daml
- rocketmq的客户端
- 精选微信小程序源码:户外旅游小程序(旅游类)小程序(含源码+源码导入视频教程&文档教程,亲测可用)