### UPA2794AGR-VB：N+P-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 概述
UPA2794AGR-VB是一款由VBsemi（唯博半导体）制造的双通道（N+P-Channel）MOSFET晶体管，采用SOP8封装形式。该产品具有±60V的最大工作电压，并且在不同条件下能够承受6.5A和-5A的电流。其导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时分别为28mΩ和51mΩ，在VGS=20V时，导通电阻降低，进一步优化了性能。此外，该晶体管的阈值电压Vth为±1.9V，适用于多种应用场景。
#### 主要特点
- **无卤素**：根据IEC 61249-2-21标准，该产品是无卤素的。
- **TrenchFET®技术**：采用了先进的TrenchFET®技术，显著降低了导通电阻和开关损耗。
- **全面测试**：100%经过Rg（栅极电阻）和UIS（Unclamped Inductive Switching）测试，确保了产品的可靠性和一致性。
#### 技术规格
- **最大绝对额定值**：
- VD（漏源电压）：±60V
- VG（栅源电压）：±20V
- ID（连续漏极电流）：在环境温度25°C时为5.3A（N-Channel），4.3A（P-Channel）
- IS（连续源极电流）：2.6A（N-Channel），1.7A（P-Channel）
- PD（最大功率耗散）：3.1W（N-Channel），2W（P-Channel）
- TJ（工作结温范围）：-55°C至150°C
- **静态参数**：
- VDS（漏源击穿电压）：60V（N-Channel），-60V（P-Channel）
- VGS(th)（栅阈电压）：1.3V至1.9V（N-Channel），1.3V至1.9V（P-Channel）
- ΔVDS/T（VDS温度系数）：55mV/°C（N-Channel），-50mV/°C（P-Channel）
- ΔVGS(th)/T（VGS(th)温度系数）：-6mV/°C（N-Channel），4mV/°C（P-Channel）
- **动态参数**：
- Qg（总栅极电荷）：5.36nC（N-Channel），4.98nC（P-Channel）
#### 应用场景
UPA2794AGR-VB广泛应用于以下领域：
- **CCFL逆变器**：适用于冷阴极荧光灯（CCFL）逆变器，提供高效稳定的电源转换。
- **电源管理**：用于各种电源管理系统，如DC/DC转换器、电池充电器等。
- **电机控制**：适用于直流电机、步进电机等控制电路中，实现精确的电流控制。
- **通用开关应用**：适用于各种电子设备中的开关电路。
#### 封装与散热
- **封装类型**：采用SOP8封装，尺寸紧凑，易于集成。
- **热阻**：
- RthJA（结到空气热阻）：最大62.5°C/W（N-Channel），62.5°C/W（P-Channel）
- RthJF（结到脚热阻）：最大40°C/W（N-Channel），37°C/W（P-Channel）
#### 总结
UPA2794AGR-VB是一款高性能的双通道MOSFET晶体管，集成了N+P-Channel结构，具有高耐压能力、低导通电阻以及良好的温度稳定性。通过采用先进的制造技术和严格的测试流程，该产品能够在广泛的工业应用中发挥出色的表现。无论是用于电源管理、电机控制还是其他开关应用，UPA2794AGR-VB都能够提供可靠的性能和高效的能量转换。
