RSR020P03-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
### RSR020P03-VB:一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管 #### 概述 RSR020P03-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel场效应晶体管(MOSFET),由VBsemi制造。该器件具有低导通电阻、高可靠性等特性,适用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等应用。 #### 特点与应用 - **TrenchFET® Power MOSFET**:该MOSFET采用了先进的Trench技术,可以实现更低的导通电阻(RDS(on))和更高的功率效率。 - **100% Rg 测试**:保证了每个产品的栅极电阻(Rg)的一致性和可靠性。 #### 应用场景 - **移动计算设备**: - **负载开关**:用于控制电路中的电源流,以实现节能或保护电路的目的。 - **笔记本适配器开关**:在笔记本电脑充电适配器中作为主要的开关元件,控制电流流向电池。 - **DC/DC转换器**:用于将直流电转换为不同电压水平的直流电,广泛应用于电源管理系统中。 #### 技术参数 - **额定工作电压**:最大额定工作电压为-30V(Drain-Source电压VDS),即能够承受的最大反向电压。 - **连续工作电流**:最大连续工作电流为-5.6A(ID),在环境温度为25°C时,可以长时间稳定地通过这一电流。 - **导通电阻(RDS(on))**:当栅源电压VGS为10V时,导通电阻典型值为47mΩ,这表明在开启状态下,器件能够以较低的电阻值通过电流,从而减少功耗。 - **阈值电压(Vth)**:为-1V,即当栅源电压低于-1V时,MOSFET开始导通。 - **热特性**:器件的最大工作结温为150°C,而存储温度范围为-55°C至150°C。此外,其热阻值(RthJA)在脉冲宽度不超过5秒的情况下,典型值为75°C/W,最大值为100°C/W。 #### 绝对最大额定值 - **Drain-Source电压(VDS)**:-30V - **Gate-Source电压(VGS)**:±20V - **连续Drain电流(ID)**:在结温为150°C时为-5.6A,在环境温度为25°C时为-5.4A。 - **脉冲Drain电流(IDM)**:最大为-18A,测试条件为脉冲宽度100微秒。 - **最大功率耗散(PD)**:在环境温度为25°C时为2.5W,而在70°C时降低到1.6W。 #### 测试条件与注意事项 - **测试条件**:上述参数通常是在环境温度25°C下测得,除非特别指明。 - **注意事项**:超出绝对最大额定值的应力可能会永久性损坏器件。这些是应力额定值,并不意味着在超出规格操作部分所指示的任何条件下都能正常运行。长时间暴露于绝对最大额定值条件可能会影响器件的可靠性。 #### 结论 RSR020P03-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET,其特点包括低导通电阻、高可靠性及广泛的温度适应性。适用于多种移动计算设备中的电源管理应用场景。通过对该器件的技术参数进行深入理解,可以在设计中充分利用其优势,实现更高效能和可靠性的电源管理解决方案。
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