### QM2413K-VB：一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
#### 概述
QM2413K-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），主要应用于负载开关、PA开关及直流转换器等场合。其主要特点包括低导通电阻（RDS(ON)）、宽工作温度范围以及符合RoHS指令等。
#### 技术参数
- **封装类型**：SOT23
- **最大漏源电压 (VDS)**：-20V
- **最大连续漏极电流 (ID)**：-4A
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- @VGS = -10V: 0.060Ω
- @VGS = -4.5V: 0.065Ω
- @VGS = -2.5V: 0.080Ω
- **门极电荷 (Qg)**：10nC
- **阈值电压 (Vth)**：-0.81V
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压 (VDS)**：-20V
- **栅源电压 (VGS)**：±12V
- **连续漏极电流 (ID)**：
- @TA = 25°C: -4A
- @TA = 70°C: -3.2A
- @TA = 25°C (短时): -3.5A
- @TA = 70°C (短时): -2.5A
- **脉冲漏极电流 (IDM)**：-10A
- **连续源漏二极管电流 (IS)**：
- @TA = 25°C: -1A
- @TA = 25°C (短时): -1A
- **最大耗散功率 (PD)**：
- @TA = 25°C: 2.5W
- @TA = 70°C: 1.6W
- **工作结温范围 (TJ)**：-55至150°C
- **存储温度范围 (Tstg)**：-55至150°C
#### 热阻特性
- **结到环境热阻 (RthJA)**：
- 最大值：100°C/W
- 典型值：75°C/W
#### 主要特性
- **无卤素**：根据IEC 61249-2-21定义
- **TrenchFET® Power MOSFET**：提供高效能和高可靠性
- **100% Rg测试**：确保所有器件的质量一致性
- **符合RoHS指令 2002/95/EC**
#### 应用领域
- **负载开关**：用于控制电路中的负载电流
- **PA开关**：适用于电源管理应用
- **DC/DC转换器**：用于电源转换电路，实现电压变换功能
#### 测试条件与注意事项
- **静态参数测试**：在25°C的结温下进行
- **动态参数测试**：脉冲测试宽度不超过300µs，占空比不超过2%
- **绝对最大额定值**：超出这些额定值可能会导致器件永久性损坏。这些额定值仅表示器件能够承受的最大应力水平，并不代表器件在这些条件下可以正常工作。
QM2413K-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET，具有低导通电阻、宽工作温度范围以及良好的热性能等特点，适合应用于多种电源管理和转换电路中。其SOT23封装使得该器件易于安装并适用于空间受限的应用场景。此外，该器件还满足环保标准，是一款绿色环保的产品选择。
