NTMSD3P102R2G-VB一款SOP8封装2个P-Channel场效应MOS管
根据提供的文件信息,我们可以深入探讨NTMSD3P102R2G-VB这款SOP8封装双P-Channel场效应MOS管的关键技术特点及其应用领域。 ### 标题解析 - **NTMSD3P102R2G-VB**:这是该器件的型号名称。 - **SOP8**:表示采用小型外形封装(Small Outline Package),共有8个引脚。 - **2个P-Channel场效应MOS管**:说明该封装内集成了两个P沟道的场效应晶体管。 ### 描述解析 - **SOP8**:再次确认了封装类型为SOP8。 - **2个P—Channel沟道**:明确指出封装内包含两个P沟道的场效应管。 - **-30V**:指器件的最高耐压值,即漏源极间的最大电压为-30V。 - **-7A**:表明在特定条件下,器件的最大连续漏极电流为-7A。 - **RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V**:此参数表示当栅源电压分别为10V和20V时,器件的导通电阻(RDS(ON))为35mΩ。 - **Vth=-1.5V**:阈值电压(Vth),即开启电压,在本例中为-1.5V。 ### 特性与规格 #### 基本特性 - **无卤素**:符合环保标准,不含卤素元素。 - **TrenchFET® Power MOSFET**:采用先进的沟槽型结构,提高了器件的性能指标,如更低的导通电阻、更快的开关速度等。 - **100% UIS测试**:确保每个器件都通过了严格的Undervoltage Interruption Stress(UIS)测试,提高了可靠性和耐用性。 #### 应用场景 - **负载开关**:适用于电源管理中的负载切换功能,如便携式设备、服务器电源系统等。 ### 参数详解 #### 工作参数 - **VDS (V)**:漏源电压最大值为-30V。 - **RDS(on) (Ω)**:导通电阻在VGS=-10V时为0.035Ω,在VGS=-4.5V时为0.045Ω。 - **ID (A)**:连续漏极电流最大值为-7.3A。 - **Qg (Typ.)**:栅电荷典型值为17nC(当VGS=-10V时)。 #### 绝对最大值 - **VDrain-Source Voltage (VD)**:-30V。 - **VGate-Source Voltage (VG)**:±20V。 - **Continuous Drain Current (ID)**:-7.3A至-7.0A,取决于结温。 - **Pulsed Drain Current (IP)**:未提供具体数值。 - **Continuous Source-Drain Diode Current (IS)**:-4.1A至-2.0A,同样受结温限制。 - **Avalanche Current (IA)**:-20A。 - **Single-Pulse Avalanche Energy (EA)**:20mJ。 - **Maximum Power Dissipation (PD)**:5.0W至1.6W,视环境温度而定。 - **Operating Junction and Storage Temperature Range (TJ, Tstg)**:-55°C至150°C。 #### 热阻参数 - **Junction-to-Ambient (RthJA)**:3850°C/W。 - **Junction-to-Foot (RthJF)**:2025S1G1D1。 ### 结论 NTMSD3P102R2G-VB是一款高性能的双P-Channel MOSFET,采用SOP8封装形式,具备高可靠性及优异的电气性能。其设计用于满足电源管理和负载切换等应用场景的需求,并通过严格的测试确保了器件的质量和稳定性。此外,该器件还具备良好的热性能,能够在广泛的温度范围内稳定工作,是各种电源管理解决方案的理想选择。
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