### NCE603S-VB — 一款SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管
#### 概述
NCE603S-VB是一款采用SOP8封装的双通道（N+P-Channel）MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有低导通电阻、高工作电压等特点。该器件适用于多种应用场景，如CCFL逆变器等。
#### 特性与应用
- **无卤素**：符合IEC 61249-2-21标准。
- **TrenchFET® 功率MOSFET**：采用了先进的TrenchFET技术，能够显著降低导通电阻，提高效率。
- **全测试**：所有产品均经过Rg（栅极电阻）和UIS（Unclamped Inductive Switching，未钳位电感开关）测试，确保高质量和可靠性。
- **CCFL逆变器**：适用于冷阴极荧光灯(CCFL)逆变器等高频开关应用。
#### 参数概览
| 参数 | N-Channel | P-Channel |
| --- | --- | --- |
| **VDS (V)** | 60 | -60 |
| **RDS(on) (Ω)** | 5.3 @ VGS = 10V<br>5.3 @ VGS = 4.5V | 5.5 @ VGS = -10V<br>6.0 @ VGS = -4.5V |
| **ID (A)** | 4 | -4 |
| **Qg (Typ.)** | 5.36 nC @ VGS = 10V<br>4.7 nC @ VGS = 4.5V | 4.98 nC @ VGS = -10V<br>4.5 nC @ VGS = -4.5V |
#### 绝对最大额定值
这些参数为绝对最大值，不应在正常操作中超过。超过这些值可能会导致设备损坏或性能下降。
| 参数 | 符号 | N-Channel | P-Channel | 单位 |
| --- | --- | --- | --- | --- |
| **VDrain-Source** | VDS | 60 | -60 | V |
| **VGate-Source** | VGS | ±20 | ±20 | V |
| **连续漏极电流**<br>(TJ = 150°C, TA = 25°C) | ID | 4 | -4 | A |
| **脉冲漏极电流**<br>(10µs 脉冲宽度) | IDM | 20 | -25 | A |
| **源极-漏极电流**<br>(二极管电流, TA = 25°C) | IS | 2.6 | -2.8 | A |
| **脉冲源极-漏极电流** | ISM | 20 | -25 | A |
| **单脉冲雪崩电流**<br>(IL = 0.1mA) | IAS | 1115 | 1115 | A |
| **单脉冲雪崩能量** | AS | 6.111 | 6.111 | mJ |
| **最大功耗**<br>(TA = 25°C) | PD | 3.1 | 3.4 | W |
| **工作温度范围**<br>(Junction and Storage) | TJ, TO | -55 to 150 | -55 to 150 | °C |
#### 热阻特性
热阻特性定义了器件内部热量从结点传递到外部环境的能力，是评估功率器件散热性能的重要指标。
| 参数 | 符号 | N-Channel | P-Channel | 单位 | Typ. | Max. |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| **最大结到环境热阻**<br>(t ≤ 10s) | RthJA | 55 | 55 | °C/W | 62.5 | 62.5 |
| **最大结到脚热阻**<br>(Steady State) | RthJF | 33 | 30 | °C/W | 40 | 37 |
#### 静态参数
静态参数反映了MOSFET在静态条件下的电气特性。
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| **漏源击穿电压** | VDS | VGS = 0V, ID = 250µA (N-Ch)<br>VGS = 0V, ID = -250µA (P-Ch) | 60 (N-Ch)<br>-60 (P-Ch) | | | V |
| **漏源电压温漂系数** | ΔVDS/T | VDS = 250µA (N-Ch)<br>VDS = -250µA (P-Ch) | 55 (N-Ch)<br>-50 (P-Ch) | | | mV/°C |
| **门阈电压温漂系数** | ΔVGS(th)/T | VDS = VGS, ID = 250µA (N-Ch)<br>VDS = VGS, ID = -250µA (P-Ch) | -6 (N-Ch)<br>4 (P-Ch) | | | V/°C |
| **门阈电压** | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250µA (N-Ch)<br>VDS = VGS, ID = -250µA (P-Ch) | 1 (N-Ch)<br>3 (P-Ch) | | | V |
#### 结论
NCE603S-VB是一款高性能的N+P-Channel MOSFET，其独特的设计使得它在各种高压、高功率应用中表现出色。通过上述详细的技术参数和特点介绍，我们可以清楚地了解到这款MOSFET非常适合用于需要高效能和可靠性的应用场合，特别是在CCFL逆变器等设备中。此外，它的低导通电阻、高耐压能力以及良好的热管理特性，都使其成为同类产品中的佼佼者。
